众所周知，碳化硅半导体带隙宽，用于 MOSFET 中时，开关损耗极低，因此相较于普通的硅器件，可允许更高的开关频率，被形象地称之为“狼的速度”，而宽禁带功率半导体器件测试，尤其是精准、全面、可靠的器件特性表征，对于器件本身的迭代以及各场景的应用都起着关键作用。

SiC MOSFET器件高频开关特性对器件测试系统寄生电感控制、测试带宽、连接方式等都提出了更高的挑战。如何驾驭狼的速度，跨越“测不准”、“测不全”、“不可靠”这三座大山，始终是第三代半导体行业关注的热点。

同时，与传统的硅半导体相比，碳化硅半导体能够在更高的温度和更高的电压下工作。SiC 功率半导体具有关键的效率特性，能够降低成本，同时提高多种应用中的系统性能，如电动汽车充电器、太阳能逆变器、电动汽车电机驱动器等，预计其使用将呈指数级增长。

从碳化硅整个产业链来看，满足下游终端客户需求一方面是靠优异的碳化硅芯片性能，但模块封装设计及系统应用也尤为重要。作为国内碳化硅领域的先行者之一，忱芯科技已经研发出多款全碳化硅MOSFET模块，SiC MOSFET模块可以作为电力系统的主开关，更好地发挥SiC低损耗的特点，相较于SBD模块其应用范围更广且技术壁垒更高。

专栏文章内容及配图由作者撰写发布，仅供工程师学习之用，如有侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 联系我们