HB6296应用指南

一：电流检测电阻设法靠近HB6296，检测电阻上电压信号很弱，为减少干扰，必须靠近HB6296，应用图上对应的R17.

二：Regn上电容必须靠近HB6296，越近越好。

三：这款ic是经典的降压电路，电感计算公式可以参考。

四：电感计算公式：L=（Vin-Vbat）*Ton/(Imax/D)。其中D是占空比，Ton=T*D。L=(Vin-Vbat)*T。T是开关周期，Vbat取3.7*n节。HB6296的开关频率是变的，电压高是350K，（T=2.8us）。电压低是1.8us。对4节锂电，输入电压25V，输出电流5A。则L=（25-14.8）*1.8us/5A=3.6uH。

五：散热。对于低压（小于35V），我测试的结果HB6296不需要加散热片，P=(35V-5.4)*12ma=360mw,HB6296本身带散热片，外面可以不加。如果驱动2个上管mosfet，Icc会上升到20ma，这时P=（35-5.4）*20ma=600mw，应该考虑加散热片。 Mosfet的散热也要特别讲究。主要要考虑上管（pwm管）。

六：mosfet选择最好要用Ciss小的，tr，tf比较短的，mosfet。这样mosfet发热少，HB6296发热也少。但是也不能太少，太少电感波形太陡，emc和emi过不去，也干扰HB6296。

七：为了emc和emi的考虑，主电流回路要越短越好，交流回路也要越短越好，特别是lx这个net上，交流通路可以用4.7uf的瓷片电容放置相关的地方，比较有效的减少交流通路的长度。

   HB6296应用指南

一：电流检测电阻设法靠近HB6296，检测电阻上电压信号很弱，为减少干扰，必须靠近HB6296，应用图上对应的R17.

二：Regn上电容必须靠近HB6296，越近越好。

三：这款ic是经典的降压电路，电感计算公式可以参考。

四：电感计算公式：L=（Vin-Vbat）*Ton/(Imax/D)。其中D是占空比，Ton=T*D。L=(Vin-Vbat)*T。T是开关周期，Vbat取3.7*n节。HB6296的开关频率是变的，电压高是350K，（T=2.8us）。电压低是1.8us。对4节锂电，输入电压25V，输出电流5A。则L=（25-14.8）*1.8us/5A=3.6uH。

五：散热。对于低压（小于35V），我测试的结果HB6296不需要加散热片，P=(35V-5.4)*12ma=360mw,HB6296本身带散热片，外面可以不加。如果驱动2个上管mosfet，Icc会上升到20ma，这时P=（35-5.4）*20ma=600mw，应该考虑加散热片。 Mosfet的散热也要特别讲究。主要要考虑上管（pwm管）。

六：mosfet选择最好要用Ciss小的，tr，tf比较短的，mosfet。这样mosfet发热少，HB6296发热也少。但是也不能太少，太少电感波形太陡，emc和emi过不去，也干扰HB6296。

七：为了emc和emi的考虑，主电流回路要越短越好，交流回路也要越短越好，特别是lx这个net上，交流通路可以用4.7uf的瓷片电容放置相关的地方，比较有效的减少交流通路的长度。   HB6296应用指南

一：电流检测电阻设法靠近HB6296，检测电阻上电压信号很弱，为减少干扰，必须靠近HB6296，应用图上对应的R17.

二：Regn上电容必须靠近HB6296，越近越好。

三：这款ic是经典的降压电路，电感计算公式可以参考。

四：电感计算公式：L=（Vin-Vbat）*Ton/(Imax/D)。其中D是占空比，Ton=T*D。L=(Vin-Vbat)*T。T是开关周期，Vbat取3.7*n节。HB6296的开关频率是变的，电压高是350K，（T=2.8us）。电压低是1.8us。对4节锂电，输入电压25V，输出电流5A。则L=（25-14.8）*1.8us/5A=3.6uH。

五：散热。对于低压（小于35V），我测试的结果HB6296不需要加散热片，P=(35V-5.4)*12ma=360mw,HB6296本身带散热片，外面可以不加。如果驱动2个上管mosfet，Icc会上升到20ma，这时P=（35-5.4）*20ma=600mw，应该考虑加散热片。 Mosfet的散热也要特别讲究。主要要考虑上管（pwm管）。

六：mosfet选择最好要用Ciss小的，tr，tf比较短的，mosfet。这样mosfet发热少，HB6296发热也少。但是也不能太少，太少电感波形太陡，emc和emi过不去，也干扰HB6296。

七：为了emc和emi的考虑，主电流回路要越短越好，交流回路也要越短越好，特别是lx这个net上，交流通路可以用4.7uf的瓷片电容放置相关的地方，比较有效的减少交流通路的长度。

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