新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变，可以跑高频，发热量超级低。
氮化镓材料的结温可以达到300度，而硅材料只能150度。
氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管，但电流可以从S流到D，没有恢复的损耗。而氮化镓体内的寄生电容比COOL-MOSFET小很多，从而使得它在古墓关电路工作的电路中开关及续流损耗大大降低。

而体内较低的Coss电容也使得他在软开关DCM，或CRM时死区的损耗降到最小。下图是氮化镓MOSFET与COOL-MOSFET的一对比。

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氮化镓MOSFET 133KHZ PFC 效率达98.8%.pdf

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