现在介绍的是采用氮化镓的产品：
VIN:90--264Vac
Vou:12V  20A
EMI, PFC 均通过。
此板是是苹果一体机电源的方案。请参看下面。 （第一图是苹果电源老板与新板对比，黑色是先前板子，采用的是COOL-MOSFET，
新板子采用的是氮化镓MOSFET，无任何散热片。）
因为黑色的为硅材料，600V的高压COOL-MOSFET工作开关频率只能100K以下。所以体积必然会在大，同时硅的损耗也会比氮化镓大。使得其
效率最大在93%左右，
而更改成氮化镓MOSFET后，可以提高工作频率，同时氮化镓本身没有因为高频带来更多热的问题。可以看到氮化镓MOSFET无散热片，可以想像其损耗很小。

-----------------------------------------------------
无桥PFC，
早期就有不少文章有关这方面的设计，但限于硅MOSFET的体内寄生二极管，使得发展很慢，氮化镓MOSFET的出现解决了此功能
氮化镓FET不像硅MOSFET那样，不能跑高频，高频了就发热，氮化镓适合跑高频，这样体积可以小型化。
氮化镓体内没有寄生的二极管，电流从S流到D是通过电子层导通，因为没有二极管的续流损耗。

更多资料点这里：http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX

氮化镓MOSFET 200KHZ LLC+PFC 250W AC输入95.4%效率.pdf

专栏文章内容及配图由作者撰写发布，仅供工程师学习之用，如有侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 联系我们