TSMC：先进工艺和成熟工艺互补

        TSMC做为全球晶圆代工厂的领头羊，在规划投资的时候（例如2012年资本投入83亿美元，营收171亿美元），事实上是先进工艺跟成熟主流工艺并进的。

        TSMC有一个既深且广的工艺平台，就纵向深度来讲，TSMC是从65、40、28、20、16nm……这样一路走下去。在横向的宽度来看, 每个节点还有衍生性工艺, 例如嵌入式Flash、高电压、射频等工艺。例如一部手机不仅需要基带和应用处理器，旁边还有很多其他芯片，例如模拟、RF、电源管理芯片等，这些芯片使用的工艺都不太一样。因此，TSMC不仅在往深的方向做，也往广的方向发展。

        “在发展每个特殊工艺时，我们都设置了一个专门的团队来负责。”TSMC中国业务发展副总经理罗镇球分析道，这也是为什么很多客户到TSMC来之后越做越大，然后和TSMC做的产品线会越来越广。因为TSMC的平台比较宽，不只是一个28nm，“客户会发现我们的40nm RF也做得不错，65nm混合信号也不错，0.18微米高电压的也很好，一个系统都可以做。所以我想这是TSMC比较显著的特点，可能也是其他的代工厂没有像TSMC这么均衡发展的部分。”

                      TSMC披露工艺计划和资本支出

        据罗镇球介绍，2012年第四季度，TSMC的营收已经有22% 来自28nm业务, 40nm的业务也约占22%。

        TSMC计划在2013年1月实现20nm SoC工艺的小批量试产。预计2013年11月，16nm的FinFET 3D晶体管的工艺将开始试产。

         资本支出方面，2012年TSMC是83亿美元，（注：TSMC 2012年营收171亿美元）；另外，研发投入超过13亿美元。TSMC对研发的支出约占营收的8%，如果再加上TSMC因研发需要而购买设备的投资，那将会更高。

          2013年计划的资本投入将更高。

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