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High NA‑EUV资讯

Imec演示high-NA EUV单次曝光实现22nm节距工艺

Imec 已经验证：基于化学放大光刻胶（CAR），通过高 NA EUV 单次曝光光刻工序，可以实现小节距随机逻辑结构的图形化工艺。本次实现的逻辑图形包括节距低至 22nm 的线‑空结构，以及中心间距 28nm 的通孔（v...

Imec high-NA 2026-09-18

High NA‑EUV 从实验走向量产

英特尔制造部门与阿斯麦（ASML）表示，高数值孔径极紫外光刻（High‑NA EUV）已经跨过一道重要分水岭：它不再只是研发工具，正式成为一项量产工艺技术。在 SPIE 光掩模技术与极紫外光刻大会上，两家企业披露，英特尔...

High NA‑EUV ASML 2026-09-09

通过底层膜工艺优化降低EUV曝光剂量

极紫外（EUV）光刻是先进半导体器件制造不可或缺的技术，但进一步微缩却面临棘手的材料难题。光刻胶需要同时兼顾高分辨率、低曝光剂量、可控的线条边缘 / 线宽粗糙度以及极低缺陷率。这些指标往往相互矛盾：降低 EUV 曝光剂量...

底层膜工艺 EUV 2026-08-25

英特尔与台积电在High-NA EUV 光刻上走出两条差异化路线

英特尔与台积电的终极目标一致：制造尺寸更小、速度更快、能效更高的半导体芯片，但二者在先进光刻技术上选择了截然不同的发展策略。英特尔早早布局研发高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV），台积电则持续迭代现有常规 EU...

英特尔台积电 2026-08-14

DRAM的十字路口：押注EUV，还是押注键合？

曾经只有台积电、三星、英特尔、SK海力士和美光五家巨头才用得起的EUV，如今开始出现在二线存储厂商的采购清单上。这标志着DRAM产业正进入一个全新的阶段：EUV不再是头部玩家的专属武器，而是整个DRAM行业迈向下一代制程...

DRAM EUV 2026-08-11

ASML计划上调其芯片制造设备价格

据国外科技媒体 The Information 援引知情人士报道，ASML计划上调其芯片制造设备价格。此举很可能使 ASML 与全球最大晶圆代工厂台积电发生冲突。台积电已对 ASML 的涨价计划予以抵制。据悉，ASML ...

ASML DUV 2026-07-24

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High NA‑EUV资料

High NA‑EUV论坛

05-13 High-Performance DDR2 SDRAM Interface in Virtex-5 Devices

Rancho|浏览：2599|回复：0| Rancho 2012-05-13 09:25:10

04-29 【应用手册】High-Definition Video Reference Design(UDX4)

bobgeng|浏览：2706|回复：0| bobgeng 2012-04-29 17:29:17

04-23 【应用手册】High-Speed Differential I/O Interfaces in Stratix Devices

bobgeng|浏览：3087|回复：0| bobgeng 2012-04-23 09:13:19

04-23 【应用手册】High-Speed Differential Signaling in Cyclone Devices

bobgeng|浏览：2820|回复：0| bobgeng 2012-04-23 08:55:04

04-22 High-Side Current Sensor Has Period Output

soothmusic|浏览：2487|回复：0| soothmusic 2012-04-22 15:11:51

04-22 High-Side Positive Current Sensor Monitors Negative Supply

soothmusic|浏览：2745|回复：0| soothmusic 2012-04-22 15:04:46

04-19 High-Efficiency Class D Audio Amplifiers Extend Battery Life in Portable Applica

soothmusic|浏览：2649|回复：0| soothmusic 2012-04-19 12:24:46

04-16 Dynamic Testing of High-Speed ADCs, Part 2

soothmusic|浏览：2609|回复：0| soothmusic 2012-04-16 21:38:02

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