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HBM.半导体产业资讯

AI内存竞赛白热化，闪迪赴韩国争抢 HBM、LPDDR 人才

韩国芯片行业的人才争夺战本就十分激烈，如今又迎来一名新的角逐者。据纽西斯通讯社与韩国经济日报消息，总部位于美国的 NAND 闪存与固态硬盘厂商闪迪（SanDisk）正在韩国大规模招聘多个岗位，尤其渴求掌握 HBM、LPD...

AI 内存 2026-09-14

HBM基底芯片：HBM如何借助先进逻辑工艺演进

三星在 Hot Chips 2026 大会的演讲《HBM 基底芯片：HBM 如何借助先进逻辑工艺演进》提出：高带宽内存（HBM）堆叠下方的基底芯片（Base Die），即将不再仅仅是信号传输层。传统 HBM 基底芯片主要...

HBM 基底芯片 2026-09-09

SK 海力士高带宽内存（HBM）迭代演进技术细节

SK 海力士在 Hot Chips 2026 大会上的报告阐述了高带宽内存（HBM）如何迭代演进，以满足人工智能极高的内存需求。报告的核心观点是：未来 HBM 技术进步，不仅依赖性能更优异的 DRAM 电路，还离不开先进...

SK 海力士 Hot Chips 2026 2026-09-04

台积电推迟面向HBM的混合键合技术投入，转而选用微凸点方案

据 ETNews 援引供应链消息的最新报道，台积电暂不投入用于 HBM 内存集成的混合键合（hybrid bonding）硅封装技术。做个简单说明：混合键合借助内嵌金属凸点熔合，让两颗硅芯片形成永久性连接，合为一体。可以...

台积电 HBM 2026-09-03

台积电先进工艺蓝图公布：从背面电源、HBM基座芯片到硅光子技术

台积电高性能计算业务发展总监李翔指出，人工智能（AI）计算能力的增长速度已超过单靠晶体管微型化所能实现的性能提升。台积电同时推进先进逻辑、后侧电源传输、HBM基晶、SoIC、CoWoS和硅光子学，将摩尔定律从单芯片扩展为...

台积电先进工艺 2026-09-01

SK hynix 印第安纳 HBM 先进封装基地开工：投资超 40 亿美元，2029 年下半年量产下一代 HBM

SK hynix 于当地时间 8 月 27 日在美国印第安纳州西拉斐特举行 AI 存储器先进封装生产基地奠基仪式，宣布项目总投资超过 40 亿美元。按规划，洁净室将于 2028 年 10 月建成开放，下一代 HBM（HB...

SKhynix HBM 2026-08-28

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