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台积电 2 纳米扩产增速超过 3 纳米

台积电正计划进一步大幅扩张先进芯片产能，这也印证了人工智能、智能手机以及高性能计算相关芯片的市场需求十分旺盛。据供应链消息，2 纳米月产能目标将从 2026 年底的 9 万片晶圆，提升至 2027 年年中的 11 万片，...

台积电 2 纳米 2026-09-15

imec 将铌钛氮超导电路制程缩小至 30 纳米

比利时微电子研究中心（imec）研发出基于铌钛氮（NbTiN）的三层金属超导电路，电路设计密度达到每平方厘米 380 万个约瑟夫森结。这家比利时研发机构还将铌钛氮超导互连线的线宽缩小至 30 纳米，称该成果为全球首创。该...

imec 铌钛氮超导电路 2026-09-08

Sub-1纳米芯片相关半导体技术进展

材料与工艺方向极紫外（EUV）光刻系统、体积光刻、二维材料技术均持续迭代，面向下一代高性能半导体，用于制备尺寸亚 1 纳米的器件结构。比利时微电子研究中心（imec）发布的技术路线图、IBM 近期公布 0.7 纳米工艺方...

Sub-1 纳米 2026-07-22

阿斯麦、台积电、imec 实现 50 纳米节距二维材料晶体管 300 毫米晶圆集成

本周，在 2026 年 IEEE / 日本应用物理学会超大规模集成电路工艺与电路研讨会上，全球顶尖先进半导体研发中心 imec 联合光刻设备供应商阿斯麦（ASML）、晶圆代工厂台积电，发布一套全新、工艺稳定且可量产拓展的...

阿斯麦台积电 2026-06-16

IBM携手泛林研发高数值孔径极紫外干法光刻胶，推动芯片制程突破 1 纳米

IBM 与泛林集团（Lam Research）宣布达成一项为期五年的合作，计划借助高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻技术与泛林集团的 Aether 干法光刻胶技术，研发面向 1 纳米以下制程逻辑芯片所需的材料...

IBM 泛林 2026-03-12

据称三星正推进 2 纳米定制 HBM 逻辑芯片的开发

据韩国媒体报道，三星半导体正推进一项针对高带宽内存（HBM）的全新 2 纳米工艺项目，计划为不同客户需求开发定制化 HBM 逻辑芯片。报道引述业内人士称，尽管具体客户名单尚未披露，但三星 HBM 开发团队已经着...

三星 2 纳米 2026-01-22

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睡梦中的雄师|浏览：2235|回复：2| flyingstar01 2025-04-11 14:12:44

12-11 OptiFDTD应用：用于光纤入波导耦合的硅纳米锥仿真

Rosaaa|浏览：1044|回复：0| Rosaaa 2024-12-11 08:50:03

07-31 OptiFDTD应用：纳米盘型谐振腔等离子体波导滤波器

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06-03 Jcmsuite应用：光场遇到纳米球的散射与吸收

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05-20 OptiFDTD应用：用于光纤入波导耦合的硅纳米锥仿真

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06-14 安泰功率放大器在磁性微纳米颗粒微流体操控研究中的应用

西安安泰电子|浏览：930|回复：0| 西安安泰电子 2022-06-14 14:26:18

08-17 【转】科学家研制出干细胞纳米“创可贴”

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01-12 纳米软件案例之精密运动控制器程控软件

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