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Intel 18A‑P：RibbonFET 环绕栅极与背面供电技术再升级

• 英特尔代工厂在领英上开设了英特尔代工厂博客，非常值得一读。该博客由英特尔代工厂资深技术专家撰稿，内容详实。本文摘取其中部分内容进行解读，强烈建议订阅该博客。Intel 18A‑P 并不是传统意义上全新的工艺节点。它是 Intel 18A 的性能增强衍生版本，旨在实现更高的晶体管驱动能力、更低的互连电阻以及更优的热性能，同时客户无需基于全新技术平台重构设计。基于 Arm 处理器核心子模块的测试数据，英特尔表示，在功耗不变的前提下，性能提升超 9%；或是性能不变时，功耗降低超过 18%。该工艺的技术根基依旧沿
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