- 在FMS 2026上，铠侠（Kioxia）拿出GP1系列固态硬盘，主打一个方向：让SSD直接给GPU喂数据。GP1走PCIe 6.0 NVMe接口，用第二代XL-FLASH存储级内存（SCM），在512字节小尺寸随机读取下，最高能跑到约1000万IOPS。这款盘还拿了FMS 2026"专用存储"类的Best of Show，样片预计2026年底出来。传统NVMe SSD是"块存储"——操作系统和文件系统把数据切块交给应用，CPU和内存还卡在数据通路上。GP1想把SS
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- Marvell在FMS 2026发布了一套覆盖"服务器—机架—Pod"三级的AI内存基础设施方案，核心由三款产品构成：Bravera SC6（PCIe 6.0/CXL内存控制器）、Structera X（CXL内存扩展与PCIe交换），以及Photonic Fabric（面向机架级的光互连织物）。三者分别对应单服务器内的内存扩展、跨服务器的内存池化，以及跨机架的光学互连。 (图片来源：Marvell Newsroom)该方案的逻辑在于，AI推理特别是长上下文与agent类负载
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- SK海力士与SanDisk在FMS 2026期间联合发布了HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）开放标准，并通过OCP（开放计算项目）对外公开规范。HBF被业界称为"NAND版的HBM"，目标是为AI训练与推理提供堪比HBM带宽、但成本与容量更接近闪存的大容量内存层。 （图片来源：SK hynix Newsroom）根据公布的规范，HBF采用8层或16层NAND堆叠，单模组容量可达512GB，带宽覆盖0.4TB/s至3.0TB/s区间，并通过UCIe（
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- 三星电子在2026年闪存峰会（FMS 2026）上展示了多款面向AI数据中心的新一代存储产品，其中最受关注的是采用晶圆键合（wafer bonding）技术的zHBM、zNAND-O，以及第十代垂直堆叠NAND——V10 BV-NAND。 （图片来源：Samsung Semiconductor Newsroom）zHBM是三星将晶圆键合工艺引入HBM的产品。传统HBM依赖微凸块互连，层数堆叠与互连密度受限于凸块间距；zHBM通过裸片间的直接键合，将互连间距大幅压缩，在同等功耗下实现约8倍于HBM
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- 2026年8月5日，上海 – Sandisk闪迪公司在FMS 2026 (FMS 26) 现场展示了创新NAND技术，为下一阶段的人工智能（AI）基础设施发展注入动力。随着模型规模扩大、上下文窗口延长以及智能体应用爆发，容量、带宽和能效正面临空前的需求，内存与存储对AI的性能和大规模部署的重要性也因此日益凸显。闪迪提供先进的NAND闪存技术，助力客户扩展AI推理能力，以满足数据中心、云环境以及AI驱动型工作负载不断演进的需求。闪迪公司首席产品官Khurram Ismail表示：“AI基础设施已迈入新发展阶
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- 8月4日至6日，FMS 2026（Future Memory and Storage）在美国圣克拉拉举行。作为存储与内存领域的重要行业会议，今年议程被AI基础设施的工程优化主线贯穿：CXL联盟重点讨论内存池化、共享与KV Cache卸载如何缓解AI推理的"内存墙"；NVM Express则围绕SSD功耗遥测、主机限功率（Power Limit Configuration）、Windows NVMe更新与本地内存协同展开。AI系统优化重心正从单一GPU算力，转向内存共享、SSD功耗管理、
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江波龙
澜起科技
- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出其第三代（Gen3）DDR5多路复用双列直插内存模块（MRDIMM）芯片组解决方案，可实现高达16,000兆次传输/秒（MT/s）速率的服务器级MRDIMM。该系列解决方案专为应对人工智能（AI）数据中心、云基础设施及加速计算工作负载等场景中，日益增长的内存带宽需求而设计。瑞萨将于2026年8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的FMS 2026（存储与内存未来大会）上展示第三代MRDIMM内存接口组件（展位号#807），
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- FMS 2026将于8月4日至6日在美国加州圣克拉拉举行。本届会议将聚焦AI、数据中心、高速存储、存储接口以及工程应用等方向，吸引存储芯片、控制器、存储系统及应用生态企业参与。过去一年，AI存储讨论大量集中在HBM。随着企业AI、RAG、边缘推理和端侧AI应用不断发展，存储需求正在从高带宽内存扩展到数据中心SSD、CXL内存扩展、NVMe存储以及边缘存储等多个层级。江波龙已宣布将以“端侧AI 存储聚变”为主题参加FMS 2026，并展示面向AI BOX、AI PC、AI Mobile三类端侧AI场景的存储
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