- 由移动网络运营商（MNO）主导的开放式无线接入网（O-RAN）联盟，一直是推动5G 无线接入网（RAN）演进的核心力量。其目的是引导行业朝着更加开放、可互操作、虚拟化和智能化的架构发展。此篇是德科技文章概述了将O-RAN无线测试从芯片设计阶段推进到准备就绪及安全、智能部署所需的关键验证步骤，重点阐述了硅前和硅后验证、多输入多输出（MIMO）/大规模多输入多输出（mMIMO）性能验证、能效测量、安全测试和无线电管理方面的需求和挑战。首先，本文将简要回顾RAN的发展历史、演进和架构。在过去，RAN的部署主要依
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202509
O-RAN
是德科技
- 电容- 电压（C-V）测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅MOS，但在SiC MOS器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A-SCS 引入Force-I QSCV技术，通过施加电流并测量电压与时间来推导电容，获得更稳定可靠的数据。Force-I QSCV技术在SiC功率MOS器件上体现出多项优势。比如仅需1台带前置放大器的SMU 即可完成测试，而传统方法通常需
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泰克
- “天工Ultra”人形机器人在今年4 月19 日北京亦庄的人形机器人半程马拉松比赛中一举夺魁，跑出了2小时40分的成绩。实际上，“天工Ultra”比赛当月才快速推出，是由北京人形机器人创新中心研发的。其不仅擅长奔跑，还能够在各种草地、沙地、石子路进行泛化奔跑，而该机器人使用的通用机器人母平台是“天工”如图1，由国家地方共建具身智能机器人创新中心（以下简称“国创中心”）推出。图1 熊友军与“天工”“天工”平台为何能在很短的时间内助力打造“半马之王”？“国创中心”在人形机器人/ 具身智能生态方面能提供哪些资源
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具身智能
国创中心
世界机器人大会
- 在AI技术重构商业规则的创智时代，终端设备正成为人机共生的重要接口。AI手机、AI PC、AI眼镜等AI终端产品在快速发展，应用场景逐步渗透到人们的生产、生活和学习等各个方面。然而，AI终端产品和功能还处于初级阶段，创新水平也存在着参差不齐的情况。有些产品由于没有满足用户的核心需求，导致了生命力不足，难以形成可持续的增长。因此，AI终端应该有哪些产品形态与应用场景？产业发展的关键挑战与破局路径是什么？7月底，在上海WAIC 2025（2025世界人工智能大会暨人工智能全球治理高级别会议）期间，有一场“人工
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AI终端
WAIC
- 1 前言大家已经很熟悉KG 的建构和GNN 模型的训练工作了。一旦训练好了GNN 模型，接着进入模型的部署和运行（推理）阶段了。首先，来介绍一项热门的部署模式，就是：BYOM（Bring Your Own Model）。这BYOM（自带模型）的涵意，即是：把您自己训练好的模型，带到最接近数据、最贴近用户的地方、并展现最佳推理效能。本文就藉由高通（Qualcomm）公司的AI Hub 平台来示范BYOM 流程，说明如何把简单的RNN 模型传送到AI Hub 云端平台，并提供目标装置（
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202509
BYOM
自带模型
- 1 硬件介绍AS6221 是市场上精度最高的数字温度传感器系统（+/- 0.09℃）。它具备完整的数字化系统，可以快速准确的获取测试位置的温度信息，准确的还原温度值并且通过标准I2C接口输出。可实现理想的健康温度监测，或应用于各种恒温场景的温度监控。● 超高的测量精度±0.09℃（20℃至42℃）● 超低功耗（6μA@4Hz/0.1μA@Standby）● 支持电池供电的使用场景● 支持
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202509
温度传感器
- 1 简介最近这一段时间在学习机器学习，也尝试将一个SkLearn的模型部署到了PocketBeagle 2 上（感谢论坛提供的试用机会），发现效果是真的不错。所以我就在想有没有什么便捷的方式能够将一个简单的模型部署到单片机上来实现某种行为的边缘计算。于是经过我的搜索后找到了一个ESP32 的基于Tensorfl ow lite 的库。如下图所示。上述的这个库是基于TF官方的TF-lite进行ESP32-S3的适配。所以对应TF官方的介绍如下图所示。至此逻辑关系已经被整理清楚了，TF
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Tensorflow
推理
乐鑫
- 1 简介INA219 是一款由 Texas Instruments（TI）生产的高精度电流/ 电压/ 功率监测芯片，采用I2C 接口通信，广泛应用于电池管理、电源监控、太阳能系统、电机控制等领域。1.1 主要特性测量范围：电压测量（总线电压）：0 V~26 V（可配置）电流测量（分流电阻电压）：±40 mV（可调增益）功率计算（基于电压和电流）高精度：16 位ADC（模数转换器）可配置增益（PGA 放大倍数）通信接口：I2C 接口（标准模式100 kHz，快速模式400 kHz）可编程地址（支持16 个I
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202509
功率监测芯片
OLED显示
德州仪器
- 手头有块FireBeetle 2 ESP32 P4开发板，这块开发板是基于ESP32-P4R32 芯片设计的高性能微控制器（MCU）开发板，支持单精度FPU和AI指令扩展，具有强大的AI处理能力。能支持Arduino，MicroPython，Esp-idf开发。有尝试使用MicroPython和Arduino在这个开发板上编程，还是比较简单，今天尝试一下使用ESP-IDF方式来实现一个SHT30温湿度传感器读取的项目。使用esp-idf组件读取SHT30温湿度信息。不得不说使用Arduino和Mpy来读取
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202509
温湿度传感器
FireBeetle
- 1 前言自然界中的物理量，例如压力、温度等都是模拟量，要对这些物理量进行控制和检测，就需要一种能在模拟信号与数字信号之间起转换作用的电路—— 模数转换器和数模转换器。能把模拟信号转换成数字信号的电路称为模数转换器（简称ADC），反之，能把数字信号转换为模拟信号的电路称为数模转换器（简称DAC）。一般的ADC 是将一个输入电压信号转换为一个输出的数字信号。由于数字信号本身不具有实际意义，仅仅表示一个相对大小，故任何一个ADC 都需要一个参考模拟量作为转换标准。比较常见的参考标准为最大
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202509
数字电压表
模数转换
- 电池热失控（TR，Thermal Runaway）一旦触发，在适当条件下会迅速演化为起火、爆炸，甚至导致整车烧毁。那么，电池究竟是如何从一个轻微的内部缺陷或外部滥用损伤，逐步演化成失控的高温链式反应？本篇文章将从触发诱因、内部化学反应过程、外部热失控演化阶段三个部分，结合温度节点、主控反应机制，整理总结锂离子电池热失控的过程。1 热失控的滥用条件通常，锂电池的热失控是受到3 种滥用的影响而引起的，分别是机械滥用、电滥用、热滥用。机械滥用通常由外力作用引起，如碰撞、挤压或穿刺，可能导致电池内部结构损坏，进而
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锂离子电池
热失控
- 曾几何时，智能电动汽车市场形成了比亚迪和特斯拉领衔的两超多强的格局。但是，商业的世界里没有永远的王者，只有不断的超越。进入2025 年以来，特斯拉销量大幅度同比下降，比亚迪在第一季度还维持着同比50% 左右的高速增长，第二季度就画风突变，销量增速像一个断了线的风筝那样不断下降。根据公开数据，比亚迪4~7 月份的销量同比增速分别为21.3%、15.3%、12% 和0.6%，目前已经接近于同比零增长。特斯拉销量下滑的原因是显而易见的，一来，车型的严重老化、产品矩阵的单一和竞品的持续冲击，都在短期内给特斯拉带来
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比亚迪
- 前不久，DeepSeek 悄悄更新了全新的V3.1 版本，这次更新全无公告，只在微信群里做了通知，既没有官方预告，也未同步发布基准测试榜单，仅以“v3.1+”这样保守的命名悄然上线。不得不说，DeepSeek 的低调更新方式，使其在大模型领域也就此一家了。与之形成鲜明对比的是，R1 在大多数人的心目中排名前五，与开启时代的GPT4 等模型并列，其在全球范围内的影响力不容小觑。DeepSeek的低调更新，或许是一种策略，避免过度曝光带来的负面影响，但同时也导致了部分网友的“过山车式”的误解。年初DeepSe
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DeepSeek
大模型
- 摘要微型逆变器和便携式电源的普及度持续增长，部分原因是人们对更具可持续性且灵活的电源解决方案的需求不断增加。随着最近推出阳台型逆变器（该产品将微型逆变器与小型电池储能系统结合在一起），这两种技术的普及率可能会进一步提升。本技术文章概述了一种新型单级转换器（称为“cyclo 转换器”），它使微型逆变器和便携式电源的实施更加高效，体积更小，同时还降低了成本。简介微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图 1 所示。图 1：微型逆变器两级拓扑在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），
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德州仪器
GaN
Cyclo
微型逆变器
便携式电源
- 本文针对具有快速瞬态变化和噪声敏感特性的负电压轨应用，提出了一种反相降压-升压解决方案。其中采用了一款单芯片降压转换器，在反相降压-升压(IBB)拓扑结构中融入了Silent Switcher 3(SS3)技术。此解决方案经过了全面测试，能够满足多项关键要求，包括负载瞬态峰峰值电压最小化、低频噪声最低化、有效缩小大容量输出电容和电感尺寸、保持高效率运行。得益于对SS3技术高速性能的充分发挥，此解决方案的整体性能得以进一步优化升级。
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噪声敏感
快速瞬态负电压轨
负电压电源
- 电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技术，通过施加电流并测量电压与时间来推导电容，获得更稳定可靠的数据。Force-I QSCV 技术在 SiC 功率 MOS 器件上体现出多项优势。比如仅需 1 台带前
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SiC MOSFET
界面陷阱检测
QSCV
泰克
- 根据日经亚洲的消息，台积电3名（前）工程师员工被逮捕，涉嫌泄露台积电2nm工艺的机密技术内容。
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台积电
2nm
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