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英特尔 1.4A2 工艺紧追台积电、三星，21 纳米金属互联线缩小迫使行业重构供电方案

• 据行业报道，受光刻图形化缺陷制约，芯片制造巨头英特尔计划在 1.4A 制程工艺中采用晶圆正反面双路供电方案。光刻工艺出现性能瓶颈，根源在于英特尔需要在 1.4A 节点追赶台积电、三星代工厂的晶体管集成密度。英特尔推出 1.4A2 迭代工艺，目标对标台积电 N2、三星 SF2Z 两大先进制程。报道：电路线宽极致缩小，英特尔 1.4A2 工艺被迫选用双面供电传统芯片制造普遍采用背面供电方案，以此降低电压压降、提升芯片性能。将供电线路布置在晶圆背面后，晶体管所在的晶圆正面就能腾出更多布线空间，大幅提升晶体管集成
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