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还在为用氮化镓设计高压电源犯难?试试这两个器件

- 面对社会和监管要求,电源效率一直是电子系统的优先事项。特别是对于从电动汽车 (EV) 到高压通信和工业基础设施的应用,电源转换效率和功率密度是设计成功的关键。为了满足这些要求,开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件,因为硅器件正在迅速接近其理论极限。因此设计者需要考虑基于宽带隙 (WBG) 材料的器件,如氮化镓 (GaN)。GaN 器件的开关速度比硅器件快,能处理更高的电压和功率水平,在既定功率水
- 关键字: DigiKey
哪些原因会导致 BGA 串扰?

- 在多门和引脚数量众多的集成电路中,集成度呈指数级增长。得益于球栅阵列 (ball grid array ,即BGA) 封装的发展,这些芯片变得更加可靠、稳健,使用起来也更加方便。BGA 封装的尺寸和厚度都很小,引脚数则更多。然而,BGA 串扰严重影响了信号完整性,从而限制了 BGA 封装的应用。下面我们来探讨一下 BGA 封装和 BGA 串扰的问题。本文要点●BGA 封装尺寸紧凑,引脚密度高。●在 BGA 封装中,由于焊球排列和错位而导致的信号串扰被称为 BGA 串扰。●BGA 串扰取决于入侵者信号和受害
- 关键字: BGA
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