罗姆半导体正式上线工程师技术交流平台英文版本，该线上平台旨在方便工程师快速查阅罗姆的各类技术资料、行业实操经验并获取技术支持。工程师技术交流平台将罗姆旗下半导体产品与解决方案的全部技术内容整合至统一入口。平台设有分产品常见问题专区、技术交流板块，并搭载智能问答机器人。工程师可自主检索技术问题解决方案，还能直接对接罗姆原厂工程师获取专业支持。以往工程师遇到技术难题时，只能单独联系罗姆厂商，或是通过代理商代为咨询。依托该线上平台，用户如今可随时随地在线查阅罗姆完整技术资料与实操经验。平台内的常见问题库、交流帖
关键字：
罗姆半导体
工程师技术交流平台
2026慕尼黑上海电子展现场，ROHM 罗姆展台围绕 AI 服务器、车载和工业设备等方向展开展示。结合其参展信息，ROHM 本次重点呈现 Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN、模块产品、48V 热插拔电路、车载 SoC PMIC、SerDes IC 以及三相逆变器参考设计等内容。对工程师来说，ROHM 的展示集中体现了功率器件和模拟产品在高效率电源、车载系统和工业设备中的应用路径，也反映出功率半导体正在更深入地进入系统级设计。
关键字：
慕尼黑上海电子展
ROHM
罗姆半导体
中小功率电源控制IC的新选择~“电源控制IC”是确保各种电气产品和电气设备正常运行的不可或缺的器件。要使应用产品正常高效地运行，电源控制IC的选择和合理设计是非常重要的。然而，貌似有很多工程师认为“使用哪种电源控制IC应该不会有太大的差异吧？”所以，在本文中，将为大家介绍以为知道了但实际上并未真正了解的电源控制IC基础知识，以及ROHM目前正在挑战的旨在“带来电源控制IC革命”的新电源技术。目录1．模拟控制与数字控制2. 各自的优缺点3. 模拟控制和数字控制的区分使用4. 在中小功率应用中难道只能采用模拟
关键字：
罗姆半导体
模拟和数字
文的关键要点・“加速度传感器”是用来检测单位时间内的速度（即加速度）的传感器。・从原理方面看，加速度传感器是通过检测因移动或倾斜而引发的与弹簧连接的质量块的位置变化来获得加速度的。从本文开始将为大家具体介绍传感器相关的内容。正如在“前言”中提到的，将从物联网的角度出发展开相关介绍。我们首先来了解“加速度传感器”。近年来，加速度传感器被广泛应用于智能手机和可穿戴设备等众多设备中，可以说是人们最熟悉的传感器之一。什么是加速度传感器“加速度”是指单位时间内的速度，测量这种加速度的传感器即是“加速度传感器”。通过
关键字：
罗姆半导体
加速度传感器
通常我们使用LDO稳压器IC（以下简称LDO），可以简单地实现DC-DC转换。作为电压调节工具，LDO在输入输出电压差小的时候效率非常好，但是在电压差大的时候，由于其工作特性，会导致较高的功率损耗并发热严重。因此，适当的热设计对于确保产品长期可靠性工作至关重要。如果忽视热设计，可能会因过热而导致性能下降，最坏的情况下会使设备故障。一旦出现问题，就要重新选择元器件、修改电路板、重新设计散热等，对日程和成本产生巨大影响。罗姆提供了一些关于热设计的应用说明，以提高产品的可靠性并减少设计阶段的返工。此白皮书只介绍
关键字：
罗姆半导体
LDO稳压器热设计
首先，我们来了解一下“升压电源负载短路时的过电流引发的问题”。关于升压电源的输出短路引发的问题，作为示例我们在这里探讨“二极管整流方式的输出短路”、“同步整流方式的输出短路”、“背栅控制”、“低边开关的限流工作”。1、二极管整流方式的输出短路对于降压型DC-DC转换器而言，当发生输出过负载或短路时，大多数电源IC的限流电路会启动，可以防止电源IC损坏。而大多数升压型转换器，在流过超过额定电流的负载电流时或输出短路时都会发生问题。当负载电流超过额定电流时，输出电压将无法维持并且会开始下降。此时，低边开关试图
关键字：
罗姆半导体
升压电源
负载短路
关键要点BM6337xS系列 配备了可监控LVIC（Low Side Gate Driver）温度的热关断电路，当LVIC的 T j 达到规定温度以上时，热关断电路将启动，会关断下桥臂各相的IGBT，并输出FO信号。在TSD已启动的情况下，由于IGBT的 T j 已超过150°C的绝对最大额定值，因此需要更换IPM。该功能监控的 T j 为LVIC芯片的 T j ，无法跟上IG
关键字：
罗姆半导体
IGBT
IPM
热关断保护
功率因数是电源电路使用有功功率的效率指标，用从0到1的值来表示。其值越接近1，功率因数越高，意味着功率的使用效率越好。交流电功率与功率因数密切相关，如果功率因数低，那么功率波动和损耗就有可能增加。因此，改善功率因数有助于提高电力系统的效率并降低成本。本文将聚焦“功率因数”，深入探讨其基本概念、实用计算方法以及提高能效的具体手法。【资料下载】活用Si(硅)功率器件特征的应用事例更多内容请前往 R课堂下载中心 查看功率因数的定义功率因数是用来衡量电路效率的指标，用有功功率与视在功率之比来表
关键字：
罗姆半导体
本文探讨的问题是 “ 为什么提高电机的电压时，转速会随之上升？ ”具体而言，就是当给电机绕组施加的电压升高（增大）时，为什么其转速会随之上升。这一现象看似理所当然，但其背后的原理却涉及诸多物理公式。这个问题对于深入了解电机原理非常关键，下面将为大家详细阐述。问题的内容本次的问题源于类似下面的经历。这是在使用市售的小型电机时产生的疑问。当时使用的是那种只需连接电池就能转动的电机，即所谓的有刷电机。为探寻如何能提高转速，经过一番调查后得知，有一种方法是将电池进行串联。于是采用两节电池串联的
关键字：
罗姆半导体
电机
本文的关键要点1. 越来越多的家用电器使用语音播放作为用户界面。2. 对于耗电量大的设备，需要考虑引入低功耗的控制方式和高效的供电系统。对于电池供电系统，可以利用微控制器的待机模式节省电力。3. 尽量减少微控制器的外置元器件数量，可以降低材料成本和制造成本。4. 评估开发环境时，不仅要看集成开发环境和评估板，还要确认是否有易于使用的实用工具。ROHM提供融入自有低功耗技术优势的丰富的低功耗微控制器产品。通过供应微控制器产品，为从事电池供电的小型设备、家用电器、工业设备、社会基础设施、车载设备等各种系统开发
关键字：
罗姆半导体
线性稳压器IC的软启动在输入电源导通（启动）时，通过在一定时间内逐步提升输出电压，可以抑制为输出电容器充电时流过的浪涌电流的最大值，这就是采用软启动的主要目的。BDxxIC0系列 的软启动上升时间在IC内部固定为800μs（typ.），无法从外部调整上升时间。如下图所示，软启动时间T SS 的定义是：以EN从Low转为High的导通时刻为起点，直至输出电压达到规定值的95%所需的时间。软启动时间偏差参考值为最小400μs、标准800μs、最大1200μs。软启动时间与输出电压
关键字：
罗姆半导体
线性稳压器IC
软启动
关键要点・FO引脚为错误输出功能引脚，用于向外部通知内置保护功能的启动情况，并会为自我保护而关断下桥臂各相的IGBT。・FO输出功能的信号输出时间因已启动的保护功能类型而异，因此可以判别已启动了哪种保护功能。这是本机型产品所具备的功能。・FO引脚的输入功能，通过在FO引脚上连接RC并调整时间常数，可以扩展下桥臂各相IGBT的关断时间。・当FO输出经由隔离器件输入至MCU时，在输出时间隔离器件的传输延迟时间比FO输出的L电平最短时间要长时，需要根据延迟情况来扩展FO输出时间时，可使用该功能。本文将介绍“保护
关键字：
罗姆半导体
IGBT
本文关键要点升压型DC-DC转换器的最大输出电流不仅仅取决于低边开关的电流容量。升压比、转换效率和电感纹波电流等因素会导致最大输出电流大大低于低边开关的电流容量。在选择升压型DC-DC转换器时，需要根据所需的输出电流和升压比等使用条件来求出低边开关所需的开关电流值，然后再选择产品。低边开关不仅“输入电流值”这个参数很重要，还需要具备支持流过电感纹波电流引起的电流波动峰值的能力。目录低边开关的最大电流和可输出的最大输出电流低边开关所需的最小开关电流容量探讨首先来了解“低边开关的最大电流和可输出的最大输出电流
关键字：
罗姆半导体
低边开关
如下图（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE，使寄生双极晶体管导通，引起短路并造成失效的现象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的电位差就越大，寄生双极晶体管越容易导通，从而越容易发生失效问题。本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。・dV/dt是单位时间内的电压变化量，VDS的上升坡度
关键字：
罗姆半导体
dv
dt
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪崩击穿”。在这种雪崩击穿期间，与 MOSFET内部二极管电流呈反方向流动的电流称为“雪崩电流IAS”，参见下图（1）。MOSFET的失效机理本文的关键要点・ 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。・ 发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET
关键字：
罗姆半导体
雪崩失效
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量，在开关速度较快时
关键字：
罗姆半导体，MOSFET
姚玲玲 （罗姆半导体（上海）有限公司 技术中心 助理经理） 1 智能电表的发展机会 在智能物联网的应用中，罗姆（ROHM）目前主要着力点仍然在感知层。通过不断优化终端的数据采集和数据预处理，减轻边缘计算负担；提供无线传输方案，实现快速、安全的数据传输。 智能电网在建成“坚强智能电网”的基础上，正在与“泛电力物联网”相融合，以建设“能源互联网”。作为感知层的智能电表，将会承担“智慧网关”的角色。新一代智能电表引入操作系统、可插拔模组化设计理念，将主芯片分为管理芯和计量芯，新增了负荷识别模块，并可根
关键字：
202004
罗姆半导体
ROHM
智能电表
2019年3月22日下午，由罗姆半导体（上海）有限公司主办、上海大学承办的2018年度“罗姆杯”上海大学大学生机电创新设计大赛在上海大学宝山校区工程技术训练中心圆满落下帷幕。上海大学机电工程与自动化学院领导、罗姆半导体（上海）有限公司设计中心领导以及全体参赛学生和指导老师出席了本次活动。颁奖仪式合影本届大赛自2018年7月正式启动，历时9个月终于圆满落幕。大赛围绕智能环境下“机械+”面向家庭和校园生活智能机械、物联网智能系统应用、互联网+应用、供电技术产品设计、机电一体化产品设计等主题进行应用设计，共吸引
关键字：
罗姆半导体
11月30日，北汽新能源(北汽蓝谷
600733)与罗姆半导体集团合作成立SiC产品技术联合实验室。北汽新能源执行副总经理陈上华与罗姆半导体集团董事末永良明现场签署了合作协议书，并共同为SiC产品技术联合试验室揭牌。 该联合实验室的成立，是北汽新能源在新能源汽车领域不断加强自主技术实力的重要举措，联合实验室成立后，北汽新能源将可以与罗姆半导体集团共同深入到碳化硅等新技术的预研中，并围绕碳化硅的新产品进行全面合作开发。 近年来，以SiC为代表的第三代功率半导体材料，已经被广泛应用在新能源
关键字：
北汽新能源
罗姆半导体
SiC
2014年11月16日，第十六届高交会电子展ELEXCON2014在深圳会展中心2号馆正式拉开帷幕。在这一中国最重要的电子展上，除了村田制作所、TDK、罗姆半导体、东芝电子、松下电器、尼吉康、路碧康、嘉美工、JAE、君耀电子、宇阳科技、顺络电子、诺信、腾盛等持续多年参展的企业外，三星电机、华新科、风华高科、潮州三环、Nesscap、上海芯导、台湾明纬等不少新的代表性企业也一并携新产品新技术登台亮相，展出大量“助力新兴产业发展，推动传统市场小型化、绿色化、智慧化、互联化转型”的产
关键字：
电子展
罗姆半导体
元器件
[EEPW北京讯]2013年5月24日，清华大学罗姆电子工程馆（清华校内称之为‘罗 姆楼’），“２０１３清华－罗姆国际产学连携论坛”在这里如期召开。通过对此次论坛的实地采访，笔者再次获得了深入了解这起曾引起业界广泛关注的高校与国际企业间合作成功案例最新进展的机会。
‘罗姆楼’热闹起来了
在清华大学学生中间，“清华罗姆电子工程馆”被简称为“罗姆楼”，现如今清华大学电
关键字：
罗姆半导体，清华大学
由于具有低功耗、高耐压、高耐温、高可靠性等优点，SiC功率器件被广泛应用于电动汽车/混合动力车中的逆变器、转换器、PFC电路等领域、传统工业(尤其是军工)中的功率转换领域以及太阳能、风能等新能源中的整流、逆变等领域，很多半导体厂商都看好SiC技术的未来，并积极投身其中，在08年收购生产SiC晶圆的德国SiCrystal公司之后，罗姆半导体(ROHM)已经在SiC领域形成了从晶圆制造、前期工序、后期工序再到功率模块的一条龙生产体系，并率先市场SiC器件的量产，罗姆要将SiC器件应用于哪些新兴领域?如何发
关键字：
罗姆半导体
电动汽车
从东京坐上新干线往南行驶2个小时，夜幕降临时，便抵达了日本古城京都。
这是一座不允许建高楼，甚至不允许在街头出现鲜艳颜色广告牌的城市，街道上看不到东京一样的车水马龙，一些人喜欢把它比作日本的西安——京都的城市格局系仿照唐代的长安城修建。
不过，当你驱车在这座古城中穿梭，你会惊奇地发现欧姆龙、京瓷、罗姆、村田制作所、任天堂等一大批响当当的名字不时在街旁出现。一组最新的统计数据足以让它们的东京同行们感到十分难堪：在日本的半导体元器件企业中，总部位于京都的企业，如村田制作
关键字：
罗姆半导体
元器件
罗姆半导体介绍
您好，目前还没有人创建词条罗姆半导体!
欢迎您创建该词条，阐述对罗姆半导体的理解，并与今后在此搜索罗姆半导体的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473