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电压瞬变抑制 文章 最新资讯

全硅RC缓冲器,用于碳化硅MOSFET

  • Melexis正在制造全硅RC缓冲器,用于集成在碳化硅动力模块中。目前正在向潜在客户采样,所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体,并以裸芯片形式交付,准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反金属化兼容烧结和焊接。该硅吸收器设计用于直流链路,最高可达1000伏直流,峰值可达1200伏,击穿额定值将超过1500伏。据公司介绍,它们“在电压超过150伏时保持恒定电容,并在10nA附近表现出泄漏电流”。“有多种R和C组合,比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具体生产
  • 关键字: 全硅 RC 缓冲器  碳化硅 MOSFET  电压瞬变抑制  
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电压瞬变抑制介绍

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