射频硅中介层 文章 最新资讯

imec 依托先进 300 毫米射频硅中介层平台，实现 III-V 族芯粒与硅 CMOS 的系统级集成突破

• 随着无线通信系统向 6G、卫星互联、高端雷达与高性能传感应用迭代，异质半导体工艺融合已成为行业核心难题。硅基 CMOS 仍是数字运算与系统控制的主流载体；氮化镓（GaN）、磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）等 III-V 族半导体材料则具备优异的高频、大功率特性。将两类工艺器件封装至同一载体，是下一代射频与混合信号系统落地的关键支撑技术。比利时微电子研究中心（imec）优化迭代自有 300 毫米射频硅中介层平台，取得关键性技术突破。本次最新研发成果融合高密度金属 - 绝缘 - 金属电容（MIM 电容）、
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