- 图片来源：Lam Research随着互补金属氧化物半导体（CMOS）面积从一个节点缩小到另一个节点50%，互连临界尺寸（CD）和间距（或间距）需求非常紧张。在N3节点，金属间距尺寸必须在18纳米或以下，主要的互连挑战之一是确保足够的工艺裕度以应对CD和边缘布置误差（EPE）。实现未来技术节点的CD光栅需要多图案化方法，如自对齐双/四/八重图案（SADP/SAQP/SAOP）和多重光刻蚀（LE）图案，结合193i光刻甚至极紫外光刻。SEMulator3D虚拟制造技术，作为Semiverse Solutio
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BEOL 图案化 半导体
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