Melexis正在制造全硅RC缓冲器，用于集成在碳化硅动力模块中。目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反金属化兼容烧结和焊接。该硅吸收器设计用于直流链路，最高可达1000伏直流，峰值可达1200伏，击穿额定值将超过1500伏。据公司介绍，它们“在电压超过150伏时保持恒定电容，并在10nA附近表现出泄漏电流”。“有多种R和C组合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具体生产
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全硅 RC 缓冲器 碳化硅 MOSFET 电压瞬变抑制
随着纯电动汽车（BEV）和插电式混合动力电动汽车（PHEV）销量的快速增长，电动汽车市场的发展在不断加速。预计到 2030 年，电动汽车的生产比例将实现两位数增长，从2024年的20%增长至45%左右[1]。为满足对高压汽车IGBT芯片日益增长的需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出新一代产品，包括为400 V和800 V系统设计的 EDT3（第三代电力传动系统）芯片，以及为 800 V 系统量身定制的RC-IGBT&nbs
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英飞凌 IGBT RC-IGBT
通过RC和RL电路的品质因子（Q因子）以及这些电路的串并联转换，了解L形阻抗匹配方程在本系列的前一篇文章中，我们学习了如何使用史密斯圆图设计无源阻抗匹配网络。除了使用这种图形方法，还可以遵循分析方法并使用一些方程来获得所需的匹配网络。首先，在深入阻抗匹配方程之前，我们需要了解两个基本概念：RC和RL电路的品质因子以及这些电路的串并联转换。RC和RL电路的品质因子定义用Q表示的术语品质因子可以用多种方式定义。当谈论储能装置（即电容器或电感器）时，Q表示我们的储能装置有多接近理想。例如，理想的电容器不会耗散任
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串联，并联，RC，RL，L形匹配网络
今天给大家分享的是：缓冲电路、缓冲电路设计、缓冲电路功耗计算。一、什么是缓冲器？缓冲器是一种对电压尖峰、振铃和振荡效应的电路保护形式。缓冲器通过钳位电压尖峰但不改变振铃频率。缓冲电路设计通常都比较复杂，设计一个好的缓冲电路需要对电路有很深入的了解，这篇文章就来详细介绍一下缓冲电路、缓冲电路设计、缓冲电路功耗计算。二、缓冲器电路设计的一般分类1、有损或者散耗缓冲电路有损缓冲电路是一种消耗功率的电路，对于电源效率要求比较高的话，这就一个很大的缺点，但是容易设计。耗散缓冲器使用电阻，有时候也使用二极管作为耗散元
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缓冲器 缓冲电路 电路设计
开关电源设计中，我们常常使用到一个电阻串联一个电容构成的RC电路，
RC电路性能会直接影响到产品性能和稳定性。本文将为大家介绍一种既能降低开关管损耗，且可降低变压器的漏感和尖峰电压的RC电路。 高频开关电源在开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在寄生电感和寄生电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。如果尖峰电压过高，就会损坏开关管。同时，振荡的存在也会使输出纹波增大。为了降低关断损耗和尖峰电压，需要在开关管两端并联RC缓冲电路以
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电源设计 RC
摘要：文章从数学上分析了运算放大器的有限增益带宽积对active-RC滤波器Q值的影响，得出了滤波器Q值升高的结论，并且研究了滤波器Q值升高的补偿方法。
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active-RC 运算放大器 Q值 滤波器
提出一种基于TSMC40LP工艺的输入信号缓冲器，用于12 bit 4 GSPS ADC的缓冲器设计。本缓冲器采用开环源随器结构，由于工艺角和温度变化，开环结构的缓冲器的输出共模将会漂移，导致比较器的输入共模发生漂移，使得比较器的比较结果发生错误。采用Replica共模反馈的方式为主缓冲器提供共模，实现缓冲器的输出共模的稳定，避免比较器因为共模变化而工作不正常。为了达到线性度的要求，通过叠层源随器和电容，将输入信号耦合到源随器的漏端，避免了短沟道器件的沟调效应。源随器采用深N阱器件，消除了衬底偏置效应。本
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缓冲器 沟道调制效应 衬底偏置效应 线性度 201806
无论是目前还是今后．双声道立体声仍将是家庭高保真放音的主要方式并将一直广泛地为发烧友所采用，它不会因SACD和DVD-Audio高质量多声道系统的出现而消亡。这是因为双声道系统简单，调整和使用方便，系统成本低而音质相当高...
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电子管 RC 有源分频器
加外部缓冲器的远程测温电路加外部缓冲器的远程测温电路由TMP04和ADM485
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缓冲器 远程测温
RC桥式正弦振荡电路RC桥式正弦振荡电路如图6.2所示。其中R1、C1和R2、C2为串、并联选频网络，接于运算放大器的输出与同相输入端之间，构成正反馈，以产生正弦自激振荡。R3、RW及R4组成负反馈网络，调节RW可改变负...
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RC 桥式 正弦振荡
全硅 rc 缓冲器介绍
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