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英飞凌科技股份公司近日为其采用TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3产品组合推出新的额定电流。借助从300A到900A的广泛电流等级，该产品组合为逆变器设计者提供了高度的灵活性，同时也提供了更高......
氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4 eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此，GaN的固有性质让器件具有更高......
开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒......
现今， 随着工业控制、工业计算机、车用电子，甚至服务器的需求越来越多样化，产品输入电压范围也变得非常宽。有些应用提高输入电压来减少输入电流，以减少输入线损并提高转换效率。新型的服务器已可见48V输入的需求！有些应用也使用......
近年随着电动汽车产业崛起，碳化硅（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化硅(SiC)晶圆的开发驱使SiC争夺战正一触即发。与硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更宽的能带隙(energy ban......
高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作，经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效，本文结合大量失效品分析与电路设计分析，对IGBT失效原因及失效机理分析，分析结果表明：经过对IGBT失效分析及IG......
全球知名半导体制造商罗姆将于2021年9月9日~11日参加在深圳国际会展中心举办的PCIM Asia 2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(展位号:11号馆B39),届时将展示面向工业设备和汽车领域的、以世界先......
前言背景：英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的I......
日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。进入后摩尔时代，一方面，人类社会......
基础半导体器件领域的专家Nexperia，今日宣布将于9月21日至23日举办‘Power Live’，这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功，本届为期三天的活动将扩大规模，涵盖与功率电子元件相关的众......
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张浩 英飞凌工业半导体 2021-09-06
周中明 2021-09-05
乔舒亚 2021-09-05
黎长源,项永金,王少辉(格力电器(合肥)有限公司，合肥 230088) 2021-09-01
英飞凌科技大中华区应用工程师 张浩 2021-08-31
