Si8817DB是一款20 V P沟道功率MOSFET,具有业内最低导通电阻76 mΩ,并且采用超小0.8mm x 0.8mm MICRO FOOT®封装。
Si8817DB是首批采用这种规格尺寸的产品,采用超高密度技术制造,使用自对齐工艺技术,将10亿个晶体管单元装到1平方英寸的硅片里。通过MICRO FOOT的无封装CSP技术,使器件在给定的外形面积内实现了尽可能低的导通电阻。
今天发布的器件将用于智能手机、平板电脑和移动计算设备等便携式电子产品的电源管理应用中的电池或负载开关。这款器件将来也可用于降压转换器应用。
MOSFET的外形紧凑小巧,可节省PCB空间并实现超薄的外形,使便携式电子产品变得更薄、更轻,低导通电阻可实现更低的传导损耗,以减少功耗并延长电池寿命。器件的低导通电阻还可以降低负载开关上的压降,避免讨厌的欠压锁定。此外,Si8817DB可以在1.5V电压下导通,可以搭配手持设备中常见的更低电压栅极驱动和更低的总线电压一起工作,节省电平转换电路的空间和成本。
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