罗姆的主营产品涉及多个领域，其中包括IC、分立元器件、光学元器件、无源元件、模块、半导体应用产品以及医疗器具。

罗姆十分重视中国市场，为了迅速且准确应对不断扩大的市场需求，在中国构建了集开发、销售、制造于一体的一条龙体制，积极贡献于中国市场。

作为在中国市场的销售网点，最早于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司，随后，随着中国电子市场的扩大，至今已形成了以这4家销售公司和包括内陆地区在内的18家分公司为结构的销售网络。

并且，在上海和深圳均设有设计中心和品质保证中心，提供技术和品质支持。在上海、深圳的设计中心配备精通各类市场的开发设计支持人员，建立了可以从软件到硬件、以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案的完备体制。

作为生产基地，1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连(罗姆电子大连有限公司)分别建立了生产工厂。在天津进行晶体管、二极管、LED、激光二极管、LED显示器、光传感器的生产、在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感头、图片链接模块、LED照明模块、光传感器、LED显示器的生产，作为罗姆半导体集团的中坚生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

为了迅速并切实地满足不断壮大的中国市场需求，罗姆希望通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，展开新业务。

<产品概要>

此产品与普通的Si（硅）材质的IGBT模块相比，具备以下优势，有效解决了世界能源和资源等地球环境问题。
•开关损耗降低85％
•与传统的400A级别的Si-IGBT模块相替换时，体积减小约50％
•损耗低，因此发热少，可减小冷却装置体积，从而可实现设备整体的小型化
此次，通过罗姆开发出的独创的缺陷控制技术和筛选法，使可靠性得以确保。另外，针对SiC制备过程中特有的1700℃高温工序，为了防止其发生特性劣化，罗姆开发了控制技术，于世界首家确立了“全SiC”功率模块的量产体制。 内置最先进的SiC-SBD和SiC-MOSFET两种元件，与传统的Si-IGBT模块相比，可以将电力转换时的损耗降低85％。另外，与IGBT模块相比，在10倍于其的频率－100kHz以上的高频环境下工作成为可能。该产品的额定电流为100A，通过高速开关和低损耗化，可以与额定电流为200～400A的Si-IGBT模块进行替换。
不仅如此，通过设计和工艺的改善，罗姆还成功开发出散热性卓越的模块。替换传统的400A级别的Si-IGBT模块时，体积可减小约50％。由于损耗低，因此发热少，可减小外置的冷却装置体积，从而非常有助于设备整体的小型化。

〈特点〉
该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）构成。

１）开关损耗降低85％ 内置了最先进的SiC-SBD与SiC-MOSFET的“全SiC”模块，与传统的Si-IGBT相比，开关损耗可降低85％。