英飞凌最新的TRENCHSTOP™5系列IGBT再一次定义了同级产品的最佳性能!
与市场上现有的产品相比,TRENCHSTOP™5 IGBT有着极低的导通和开关损耗。另外,全新开发的反并联Rapid快恢复二极管进一步改善了开通损耗和开通特性,因此在硬开关拓扑中有着无与伦比的效率以及极佳的温升特性,同时提供了650V的击穿耐压来满足更高的设计裕量要求,如太阳能电池板最大功率点跟踪。该系列产品可以应用在诸如不间断电源(UPS),逆变焊机,太阳能逆变器等等。
TRENCHSTOP™5系列目前提供两类产品: H5 和F5。其中,H5致力于客户端的易用性,与上一代产品H3相比,在设计中无需大的更改即可实现更高的效率以及极佳的性价比。而F5致力于实现致力于实现IGBT最佳的性能,因此需要进一步改善线路布局以及调整驱动参数来发挥器件的特点。比如,在太阳能设计当中,通过使用F5,在传统的H4拓扑上可以轻松实现98%的效率。而在传统的开关电源设计当中,与典型的MOSFET方案相比,F5也提供了另外一种可能性。
TRENCHSTOP™5是IGBT技术的一个质的飞跃,因为它同时提供了效率的大幅改善以及可靠性的提升,因此可以进一步降低系统成本,或者是功率密度的提升。 而这两点对于功率系统设计来讲都是极具吸引力的,因而也必将对当今甚至是未来的设计产生深远的影响。 |