富士通半导体FRAM铁电随机存储器,其中MB85RC1MT是所有富士通半导体I2C串行接口产品中最高内存容量的产品,可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase)周期,大幅超越传统EEPROM的写入/擦除周期次数,并可支持I2C接口及其他接口产品的实时数据登录等频繁的重复写入数据作业。适用于需要经常重复写入数据之应用,例如工厂自动化、测试仪器及工业设备所需之实时数据登录应用。
MB85RC1MT可在摄氏零下40度至85度的温度范围以1.8V至3.3V工作电压运作,可支持3.4MHz 的“高速”操作模式,并可在与传统EEPROM相同的1MHz环境进行读写数据作业。
MB85RC1MT的出现增加了富士通半导体的FRAM产品阵容:I2C 接口(支持4 Kb至1 Mb内存容量)和SPI接口(16 Kb至2 Mb内存容量)。这些FRAM产品采用业界标准的8针脚SOP封装,因而可取代EEPROM或序列闪存,并适用于工厂自动化、测试仪器及工业设备等应用,更无须大幅修改电路版的设计。 |