该模块内置的功率半导体元件全部由SiC-MOSFET构成,尚属业界首次※。额定电流提高到180A,应用范围更广,非常有助于各种设备的低功耗化、小型化。
※根据罗姆调查(截至2012年12月12日)
1) MOS单体即可保持开关特性不变。无尾电流,开关损耗更低;
即使去掉SBD亦可实现与以往产品同等的开关特性。由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流,损耗可降低50%以上,有助于设备更加节能。另外,达到了Si-IGBT无法达到的50kHz以上的开关频率,因此,还可实现外围设备的小型化、轻量化。
2) 可逆向导通,实现高效同步整流电路;
一般Si-IGBT元件无法逆向导通,而SiC-MOSFET可通过体二极管实现常时逆向导通。另外,通过输入栅极信号,还可实现MOSFET的逆向导通,与二极管相比,可实现更低电阻。通过这些逆向导通特性,与二极管整流方式相比,可在1000V以上的范围采用高效同步整流方式的技术。
3) 成功解决体二极管的通电劣化,通电时间达1000小时以上且无特性劣化;
罗姆究明了体二极管通电的缺陷扩大机理,通过工艺、元件结构成功控制了产生劣化的因素。一般产品通电时间超过20小时导通电阻就会大幅增加,但本产品通电时间达1000小时以上导通电阻也不会增大。
应用领域
工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器。
|