意法半导体（STMicroelectronics；ST）是全球领先的半导体解决方案供应商，为客户提供传感器、功率器件、汽车产品和嵌入式处理器解决方案。从能源管理和节能技术，到数字信任和数据安全，从医疗健身设备，到智能消费电子，从家电、汽车，到办公设备，从工作到娱乐，意法半导体的微电子器件无所不在，在丰富人们的生活方面发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活（life.augmented）的理念。

意法半导体2012年净收入84.9 亿美元。详情请访问公司网站www.st.com。

意法半导体’的600~650V IGBT为工作频率高达100 kHz的应用提供的最大集电极电流范围为3~150A。 提供了多种版本，并且带有专用内置式反向并联二极管以实现设计优化。 利用意法半导体’获得专利的标准冲压穿透PowerMESH技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。

这些600~650V IGBT的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。 提供的封装选项包括D2PAK、DPAK、ISOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-247长引线和TO-3PF。

650 V沟槽栅场终止IGBT

场终止技术基于回注式集电极和缓冲器层，能够在关断时作出快速而紧密的反应。TGFS IGBT还采用了沟槽栅技术，提高了沟道密度，降低了传导损耗，大幅提高了效率。此外，TGFS允许降低晶片厚度，提升了晶体管的热性能，提高了可靠性，简化了热管理设计。

主要受益:

最低总功率损耗实现更高的节能

最低的关断损耗(Eoff)同时实现更高的开关速度

简单并联使用以实现功率扩展

175oC的结温,具有更高的耐用性和可靠性