国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR 全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。

使用IR新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台，第八代 (Gen8) 1200V IGBT 配备新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。

新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把 dv/dt 降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄，在高电流功率模块内并联起多个 IGBT 之时，可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到 175°C 的最高结温。

开关特性

对于IGBT的另外一个要求是在关断时具有很低的过冲电压，从而将传导和辐射EMI降至最低，同时防止IGBT出现过压故障。

为了将系统寄生电感所带来的过冲电压最小化，IGBT必须在关断事件中具有低di/dt。图2显示了在ICE = 100A时的关断特性，此时测量的总线电压VCE(ON) = 600V，Tj = 150 oC，外部Rg = 0。从这些波形因数中，可以看出在几个被测试的IGBT中，Gen 8 IGB具有最低的过冲电压。Gen 8 IGBT的过冲电压不到750V。