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Si MOSFET技术的改进，特别是过去的十年里，极大地降低了服务器、笔记本电脑、台式电脑和其它计算器件的功耗。这些改进是通过将主要MOSFET参数（如导通电阻Rds(on)和栅极电荷Qg）最小化来实现的，从而让同步降压转换器的效率达到了90%以上。利用Si MOSFET技术不断降低这些参数，DC-DC转换器效率的连续改进还取决于之前严重忽视的其它MOSFET参数。其中一个主要参数就是MOSFET的栅极电阻（Rg）。
IR IRF6811和IRF6894DirectFET?Plus MOSFET采用了IR最新一代Si技术，Rds(on)和栅极电荷（Qg）比上一代器件低得多，并且功率损耗也减少了25%之多。此外，这些器件还提供了与超低栅极电阻（Rg）有关的所有优势，从而通过将DC-DC转换器的开关损耗降至最低水平而进一步提高了效率。
IRF6811 控制MOSFET 及IRF6894 同步MOSFET 分别以小罐及中罐供货。25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷，将传导和开关损耗降到最低。IRF6894 还设有集成式单片肖特基二极管，可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET 与上一代器件的占位面积兼容。新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
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