长鑫科技的最大手笔来了，能否改写全球存储格局？

2026年9月28日，国产存储芯片龙头长鑫科技发布公告，拟合计投入349亿元推进两大重点项目建设。其中，技术研发项目规划总投资241亿元，建设周期30个月；存储器晶圆后道测试基地二期项目规划总投资108亿元，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。

长鑫科技拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，用于投建后道测试基地二期项目。长鑫科技科创板IPO募集资金净额达663亿元，上市前拟募资金额为295亿元，此次使用180亿元超募资金是其历史上最大规模的超募资金使用计划之一。

241亿元锚定下一代制程与产品迭代

技术研发项目规划总投资241亿元，聚焦DRAM制程工艺迭代、产品性能升级等核心技术攻关，持续推动存储芯片在存储密度、功耗控制、读写性能等关键指标实现突破。该项目不涉及产能扩张，而是直接投向芯片设计、架构迭代和工艺验证的研发端，决定下一代产品的性能上限。

投资出发点在于DRAM领域技术代际之间的差距往往直接对应市场份额的分野。长鑫科技表示，构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移地推进产品与制程工艺的迭代升级。当前AI服务器对高带宽内存（HBM）和LPDDR5X等高端产品需求激增，能否跟上这一轮技术升级的节奏 —— 是决定未来三年竞争格局的关键变量。因此，必须依托持续的研发投入，驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。

108亿元破解产能瓶颈

后道测试基地二期项目规划总投资108亿元，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供晶圆测试、模组组装等核心配套服务。后道工序位于晶圆制造之后，是芯片从“半成品”变为“成品”的关键环节。

后道测试基地二期项目的建成将直接缓解长鑫科技产能扩张中测试环节的瓶颈。随着晶圆产能向35万至50万片/月迈进，若测试环节无法匹配前道晶圆制造产量，将成为制约整体出货的短板。通过自建测试产能，长鑫科技可实现更灵活的产能协调，降低芯片测试成本，进一步完善IDM全产业链运营模式。此外，国内存储晶圆产能持续爬坡，已带动存储模组、封装测试等产业链配套需求同步扩张，具备技术储备与产能规模的本土封测厂商有望充分受益。

投资出发点则指向产能配套的现实痛点。长鑫科技明确表示，测试作为DRAM生产中不可或缺的关键环节，随着产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。为了保障测试产能不成为产能制约瓶颈并保障供应链安全，急需增加自建测试产能的投入 —— 通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低DRAM芯片测试成本，提升运营效率和测试技术，进一步完善IDM模式。

两个项目一前一后形成“研发+测试”的双轮驱动模式：研发项目决定产品能走多高端，测试项目决定产能能释放多快，二者共同服务于长鑫科技从技术追赶到规模竞争的战略转型。

上市后技术迭代明显提速

通过跳代研发加快技术创新，长鑫科技完成了从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，产品覆盖从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的代际演进。

制程工艺方面，2026年9月，长鑫科技第五代DRAM工艺技术平台正式量产，通过四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过工艺革新与新材料应用，实现45:1的存储电容深宽比，创新研发的HKMG工艺将核心功能区高度缩减至6762纳米，大幅优化芯片性能与集成度。值得注意的是，长鑫G5平台完全依托DUV光刻工艺实现，而三星、SK海力士、美光在14nm节点之后已转向EUV光刻工艺。

终端产品落地同样取得突破。2026年8月，长鑫科技自主研发的新一代低功耗内存LPDDR6成功实现全球首次商用量产，首批产品搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机，峰值传输速率达12800Mbps，最高容量16GB。这打破了三星、SK海力士、美光三大原厂长期垄断新一代移动内存“首发权”的惯例。

除此之外，长鑫科技已于2026年9月初开始试产HBM3，小批量向国内AI芯片厂商交付样品，业界预测有望在2026年底前后实现小批量量产，届时每月产能目标为6万片晶圆。

市占率快速攀升，盈利能力反超国际巨头

市占率方面，据CFM闪存市场数据，2026年一季度长鑫存储DRAM销售收入达73.09亿美元，环比增长115.1%，市场份额提升至7.7%，排名全球第四。到2026年二季度，据TrendForce集邦咨询数据，长鑫存储DRAM营收达146.24亿美元，环比暴增99.3%，全球市占率从一季度的7.6%跃升至9.5%，增速位列全球主要厂商之首。同期全球DRAM产业营收环比增长59.5%，长鑫的增速远超市场整体水平。

国金证券数据显示长鑫2025年底月产能约28万至29万片，SemiAnalysis预计到2026年底将达约35万片，到2028年有望增至50万片。据大摩预估，2026年长鑫DRAM月产能约占全球晶圆产能的13%、位元出货量约11%。

盈利能力方面，2026年二季度长鑫存储息税前利润率达到82%，一举超过SK海力士（76%）和三星电子半导体业务（70%），成为当期全球盈利水平最高的存储芯片厂商。这一盈利水平得益于三星、SK海力士将产能转向HBM后留下的通用DRAM供给空缺，以及长鑫在移动端LPDDR4X/5X产品上的价格优势。

重塑全球DRAM竞争格局

全球DRAM市场长期被三星、SK海力士和美光三家垄断，2026年二季度三家合计占据约90%的市场份额。长鑫科技作为国内少数具备DRAM自主研发能力的企业，其DDR5、LPDDR5/5X等产品在主流规格上的覆盖度已对齐三大原厂，如果本次技术研发项目能够加速新一代产品的量产将在一定程度上压缩进口依赖度。

当前存储行业处于高景气周期。据TrendForce数据，全球DRAM市场规模有望从2025年的1536亿美元增长至2026年的6554亿美元，同比增长326.6%。IDC预测2026年全球DRAM供应同比增长仅16%，而需求增速达45%，供需缺口将持续扩大至2027年上半年。

在AI算力需求高增与供应链安全、自主可控诉求提升的双重背景下，国内客户导入本土DRAM供应商的动力持续增强，国产替代空间广阔。同时，长鑫科技的产能扩张正在改变全球DRAM供给结构：月产能从当前约32万片，预计到2027年拉升至42万片，2028年底冲击月产50万片目标。随着产能持续释放，长鑫在全球DRAM市场的份额预计将从目前的约10%继续攀升。

DRAM市场也正在发生结构性变化：三星电子正将DDR5内存模组与SSD的新增产能全部外包给合作伙伴，自身资源全面转向HBM等高价值产品，三星位于天安、温阳的封装工厂空间正被重新调整为HBM先进封装产线，不再为通用内存模组扩充自有产能。这为长鑫科技在通用DRAM市场提供了战略窗口，其增长主要来自三星等原厂产能转向HBM后留下的供给空缺。

两个项目建成后，长鑫科技有望进一步缩小与全球前三的差距，加速国产存储芯片从“替代”走向“竞争”的进程。但存储行业的周期性波动和竞争对手的产能策略仍是需要持续关注的风险变量 —— 三星、SK海力士、美光三大原厂2026年合计投入近1200亿美元，若各大原厂在通用DRAM领域重新加大产能投入，或HBM供需格局发生变化，长鑫科技的市场扩张节奏可能受到影响。