Imec演示high-NA EUV单次曝光实现22nm节距工艺

Imec 已经验证：基于化学放大光刻胶（CAR），通过高 NA EUV 单次曝光光刻工序，可以实现小节距随机逻辑结构的图形化工艺。

本次实现的逻辑图形包括节距低至 22nm 的线‑空结构，以及中心间距 28nm 的通孔（via）结构。

该结果证明，化学放大光刻胶（CAR）技术可应用于 A14/A10 逻辑工艺节点多层关键层的高 NA EUV 单次光刻。

该成果是 Imec 与 ASML、各材料供应商以及更广泛光刻工艺生态紧密协作取得。

Imec 光刻技术项目研发副总裁盖尔特・范登伯格（Geert Vandenberghe）表示：“我们已经证明可以拓展 CAR 技术的能力，实现过去使用 0.33NA EUV+CAR 单次曝光无法达成的节距。基于 CAR 的光刻工艺是已经成熟的技术，已经服务半导体行业数十年，具备经过验证的稳定性与可制造性。我们的数据证明，在高 NA EUV 光刻时代，CAR 依旧具备极高价值，让我们强大的合作伙伴生态在埃（ångström）工艺时代获得决定性优势。本次突破离不开生态伙伴的紧密协作，核心是和材料供应商共同对 CAR 光刻胶材料、光刻‑刻蚀工艺开展联合优化。这也为后续进一步优化打下基础，有助于提升良率，推动 CAR 光刻胶向更严苛的更小节距演进。”

根据 Imec 最新逻辑技术路线图，A14/A10 逻辑节点将引入高 NA EUV 光刻，实现严苛节距下的可靠图形化至关重要。因此，该技术也是由 Imec 主持的欧洲 NanoIC 项目的关键支撑技术，该项目目标是研发 2nm 以上先进片上系统。

Imec、ASML 以及光刻生态合作伙伴，正采用整体协同方案加速高 NA EUV 的工业化落地，也就是对整套光刻生态进行联合优化。工作内容包括验证新型光刻胶材料与工艺、刻蚀技术等，同时持续挖掘现有化学放大光刻胶（CAR）体系的性能潜力。

在 2026 年 IEEE 国际互连技术大会（IITC）上，Imec 及其材料供应商就已经验证 CAR + 高 NA EUV 单次光刻实现 28nm 节距线条结构的可行性，突破了此前行业认为 CAR 方案的性能上限；在长达 1.8 米的金属化电性测试结构上取得了可观的组合良率，为 CAR 光刻胶和刻蚀化学体系的持续优化奠定基础。

如今 Imec 首次进一步拓展 CAR 光刻胶的能力：仅经过一次高 NA EUV 曝光，即可完成 22nm 线‑空结构图形化。在节距低至 22nm 的迂回、叉形电性测试结构上获得良好图形保真度。此外还演示了多种面向先进节点随机逻辑设计的小节距逻辑金属与通孔结构：26nm 端头‑端头间距（T2T）的 24nm SRAM 版图、端头‑端头间距 28nm 的 24nm 布局布线结构，以及中心间距 28nm 的随机逻辑通孔图形。

上述成果为行业铺平道路：可以继续将 CAR 光刻胶与高 NA EUV 光刻搭配，对 A14/A10 逻辑节点部分关键层做单次光刻，包括第二层金属层（Metal‑2）、通孔层，以及金属‑扩散层（MD 层，连接源漏扩散区与第一层金属的中间层）。