HBM4E的供应链革命：台积电太贵，CoWoS太少

据TrendForce报道，SK海力士已宣布完成HBM4的开发并准备量产，基础裸片由台积电以12纳米制程生产。而到了第七代HBM4E，SK海力士正考虑引入英特尔晶圆代工业务（Intel Foundry）作为第二家基础裸片供应商，与台积电形成多供应商体系。

基础裸片是位于HBM堆叠底部的逻辑控制芯片，负责协调DRAM核心与GPU之间的数据传输。彼时，基础裸片的功能相对单纯，SK海力士凭借自身成熟的DRAM制造工艺即可完成生产。在HBM3E及更早的产品世代中，SK海力士均采用自研自产基础裸片（Base Die）的模式；然而，这一延续多年的生产模式正在被彻底改写，从第六代产品HBM4开始，SK海力士首次将基础裸片的生产外包给台积电。

为何从HBM4开始引入台积电？

SK海力士从HBM4起将基础裸片外包给台积电，背后有着深刻的技术和市场逻辑。

· 技术层面：HBM4在连接GPU与HBM的基础裸片中引入了逻辑制程，以提升运算效率与能源管理。HBM4的数据传输通道（I/O）从HBM3E的1024个翻倍至2048个。基础裸片的复杂度和PPA（性能、功耗、面积）要求大幅提升，需要超越传统DRAM制程的先进逻辑制造能力。台积电的先进逻辑工艺在晶体管密度、速度和功耗方面相比DRAM工艺具有显著优势，SK海力士自身缺乏先进逻辑制程的晶圆代工能力，选择与台积电合作是技术路径上的必然选择。

· 市场逻辑：三星电子采用自有的4纳米制程生产HBM基础裸片，面对三星在制程节点上的激进策略，SK海力士需要借助台积电的先进工艺来维持竞争力。据报道，SK海力士甚至正在考虑采用台积电3纳米制程用于HBM4E的逻辑基底芯片，以应对三星自研4纳米制程带来的压力。

HBM4E为何考虑加入英特尔？

AI客户对基底芯片功能定制化的需求持续攀升，台积电的先进制程能够满足更精细的功能实现需求。如果说引入台积电是技术驱动的“不得不为”，那么从HBM4E开始引入英特尔，则更多是成本、供应链安全和议价权层面的战略考量。

高昂的代工成本是最直接的驱动力。据业内人士透露，台积电供应的HBM4基础裸片成本约为SK海力士自身10纳米级第五代1b工艺生产的核心芯片的3-4倍。随着HBM4E的升级，工艺节点进一步微缩（可能从12纳米升级至更先进制程），成本压力预计将进一步增加。台积电在基础裸片代工领域的事实垄断地位，使SK海力士在价格谈判中缺乏筹码。

而HBM产品大量采用长期供应协议（LTA），SK海力士难以迅速将代工成本的增加转嫁给客户，引入英特尔作为竞争性供应商能够有效增强SK海力士的议价能力。除此之外，将所有基础裸片的生产集中委托给台积电一家，形成了单点依赖。这种依赖不仅体现在价格谈判上处于被动地位，还面临地缘政治风险和产能分配风险，建立多供应商体系能够提高供应链的灵活性和韧性。

值得注意的是，三星和美光采取了不同的策略 —— 三星使用自有的4纳米晶圆代工能力，美光则与台积电合作生产HBM4E基础裸片。SK海力士选择英特尔作为第二供应商，在三大存储巨头中走出了一条差异化的供应链多元化路径。

先进封装领域的合作延伸

除了基础裸片的生产，SK海力士与英特尔的合作还将延伸至先进封装领域。在2026年的Hot Chips大会上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee发表了题为「高带宽内存的先进封装」的报告，详细阐述了公司将如何利用先进封装技术加速HBM产品路线图。报告中明确提到了英特尔的EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）先进封装技术。

CoWoS产能瓶颈是最核心的驱动力。目前，SK海力士的HBM封装主要依赖台积电的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）工艺。然而，随着AI芯片需求的爆发式增长，CoWoS产能已无法跟上需求的攀升速度：据报道，台积电2027年的CoWoS产能已被全部预订，产能缺口压力持续存在。台积电自身虽在加速产能扩张，但专用制造设备的交货周期较长，结构性供需紧张预计至少持续数年。在此背景下，SK海力士需要寻找替代的封装方案来分散风险。

英特尔的EMIB是一种2.5D封装技术，通过嵌入式硅桥实现芯片间的高密度互连。初步评估显示，在某些应用场景下，EMIB可将封装成本降低约50%，相比CoWoS具有成本优势。SK海力士已着手测试英特尔EMIB-based 2.5D封装方案在HBM应用中的可行性，越来越多的客户有意选择英特尔的代工服务，SK海力士与英特尔在封装层面的合作也是为了满足这些未来客户的需求。

在2026年这一时间点推进与英特尔的合作，是多重因素叠加的选择：

· HBM4E的产品规划窗口：HBM4E作为第七代HBM产品，正处于研发和供应链规划的关键阶段，此时引入新的供应商在时间上最为合适。

· CoWoS产能的紧张程度已达到临界点：台积电2027年产能已被预订一空的消息，迫使SK海力士必须立即采取行动寻找替代方案。

· 英特尔代工业务的成熟度：经过数年发展，英特尔晶圆代工业务（Intel Foundry）在先进制程和封装技术上已具备一定的竞争力。2026年6月，英特尔延揽前SK海力士首席执行官李锡熙担任资深副总裁，负责先进封装及后段制程，这被外界视为间接促成了两家公司的合作。

· 供应链多元化的战略紧迫性：在AI芯片供应链高度集中的背景下，无论是地缘政治风险还是单一供应商的产能瓶颈，都使得供应链多元化成为各大厂商的当务之急。

结语

SK海力士在HBM基础裸片生产模式上的演变：从HBM3E及之前的自研自产，到HBM4引入台积电，再到HBM4E考虑引入英特尔作为第二供应商 —— 清晰地勾勒出了一条从“技术驱动”到“成本与安全双驱动”的战略演进路径。与此同时，先进封装领域与英特尔的合作则是在CoWoS产能瓶颈倒逼下的主动破局。

这两条合作线索共同指向一个核心战略意图：在AI时代HBM需求井喷的背景下，SK海力士正在努力摆脱对单一供应商的过度依赖，构建一个更具弹性、更具成本竞争力的供应链体系。这一战略能否成功，将在很大程度上决定SK海力士在未来HBM市场竞争中的主动权与利润空间。