新闻中心

EEPW首页 > EDA/PCB > 业界动态 > 台积电的COUPE蓝图和FAU是关键

台积电的COUPE蓝图和FAU是关键

时间:2026-09-01 11:50 收藏

随着对高速AI互联需求的爆炸式增长,的紧凑通用光子发动机(-)技术蓝图正在进一步成型。 8月31日,先进封装技术开发副总裁徐国进表示,2026年,将批量生产全球首个单通道200 Gbps微环调制器(MRM)。随后,通过400 Gbps调制器和多波长多行光纤阵列单元(),带宽密度将从每毫米0.5 Tbps提升至2030年4 Tbps,四年内增长八倍。

在供应链方面,机构投资者持乐观态度,指出上全、布罗威、广生等台湾企业拥有、V通道或高密度光纤连接技术; 而Largan Precision则具备先进的光学设计、精密成型和微型镜头的量产能力,展现出进入CPO微透镜阵列(MLA)领域的潜力。 随着向多排和多波长发展,相关光纤组件的规格、精度及使用率预计将同步提升。

FAU已正式纳入COUPE带宽扩展路线,其角色从外设转向光学发动机外设,进一步成为硅光子学升级的关键接口。 随着共包光学(CPO)向量产迈进,台湾光通信和光学公司配备FAU、V型槽、精密耦合光和微透镜能力,预计将迎来新一波样品交付和认证机会。

在imec技术论坛上,许国钦指出,COUPE采用先进的SoIC三维集成技术,垂直堆叠电子集成电路(EIC)和光子集成电路(PIC),然后利用微透镜和FAU将光信号输入光纤,从而缩短传输距离,降低功耗和延迟。

随着带宽需求的不断扩大,台积电采用了两种路径:“快而窄”和“慢而广”。前者提高单车道传输速率,后者通过波分复用(WDM)和多行FAU来提升传输波长,以提升光纤信道密度。

根据台积电蓝图,到2026年,COUPE将采用单通道200Gbps、单波长、单行FAU,带宽密度约为0.5 Tbps每毫米;到2030年,将结合单通道400 Gbps调制器、多波长和多行FAU,将速度推高至4 Tbps每毫米。

台积电正在推进晶圆级边缘耦合器(EC)测试,旨在在晶圆阶段完成CP测试,筛查缺陷元件,然后再进入昂贵的先进封装工艺,进一步降低硅光子学的批量生产成本。


评论


相关推荐

技术专区

关闭