Kioxia 与 Sandisk 宣布日本投资超 310 亿美元：北上 Fab3 启动场地准备，目标 2029 财年运营

Kioxia 于 8 月 27 日宣布，已启动岩手县北上工厂 Fab3 的场地准备工作，新厂房规划在现有 Fab2 以南，用于扩大 BiCS FLASH 三维闪存产能，目标 2029 财年开始运营；具体建设进度与生产设备投资将视市场情况决定。同日，Kioxia 与 Sandisk 联合宣布，预计到 2032 年在日本投资超过 310 亿美元（约 5 万亿日元），覆盖四日市与北上两座工厂的基础设施建设与相关技术，投资计划以获得日本政府支持为前提。两家公司还确认，NAND 闪存市场在中长期内受代理型 AI、物理 AI 与设备端 AI 需求推动持续增长。

图片来源：Kioxia

Kioxia 与 Sandisk（含此前的西部数据闪存业务）的合资制造关系已持续超过 25 年，过去 25 年在日本累计投资超过 500 亿美元。今年 1 月，双方已将四日市工厂的合资协议延长至 2034 年 12 月。两家公司的 CEO 当天拜会了日本首相，投资计划与日本政府强化本土半导体制造的经济政策方向一致。据路透社报道，北上新建产线约占整体计划的 1.8 万亿日元（约 113 亿美元）。

与 SK hynix 把 HBM 封装产能放到美国形成对照，这条新闻展示的是另一条地域路径：3D NAND 的晶圆制造留在日本本土扩容。5 万亿日元是跨度到 2032 年的长期计划而非已执行的开支，落地节奏取决于政府支持力度与设备投资决策；但从工程视角看，北上 Fab2 与四日市部分厂房的设备利用率仍有提升空间，先填满现有洁净室、再上第三座厂房的顺序，意味着未来几年 NAND 的实际产出增量更多来自设备搬入而非新楼交付。对存储供应链，刻蚀、沉积设备的订单窗口会比 Fab3 投产节点提前两年左右出现。