SK hynix 技术说明：Cu-Cu 混合键合把互连间距压到 1μm 以下，走向 HBM/NAND/HBF 底层能力

SK hynix 发布技术说明，系统阐述 Cu-Cu 混合键合在存储产品中的演进路径。混合键合通过裸片表面的铜焊盘直接对接实现互连，间距可压到 1μm 以下；作为对比，传统焊料凸块的互连间距约 100μm，微凸块约 20μm。SK hynix 把这项技术指向 16 层以上 HBM、NAND、3D DRAM、AI 加速器、HBF（高带宽闪存）、背面供电和 CPO 等场景，并明确给出时间表判断：HBM4 仍可在现有工艺上应用混合键合，HBM4E 之后结构与性能约束增强，HBM5 则可能转向新的封装流程。

图片来源：SK hynix Newsroom

文章梳理了这项工艺在存储业的落地进程：Sony 2010 年首次在 CMOS 图像传感器上商用混合键合，长江存储 2019 年将其用于 3D NAND，铠侠 2023 年跟进，SK hynix 则计划在 2027 年量产的 400 层以上 NAND 上采用。文章引用的性能对比——11.9 倍速度提升、15 倍集成密度、100 倍散热改善——口径为 HBM4 相对 HBM3 的比较。

混合键合的价值在于同时解锁"堆叠层数"和"互连间距"两个此前互相制约的维度：层数堆得越高，TSV 与凸块占用的面积和信号路径就越成为瓶颈，而直接键合把这两项约束一起放松。对存储厂商，竞争焦点从 TSV 数量转向键合良率、对准精度与晶圆翘曲控制；对系统侧，HBM4E 以后封装流程的转变会改写近存供电与散热的接口定义，热阻下降与密度上升的组合，会推动电源与散热方案的选型提前一个代际做评估。