马斯克有意为 Terafab 芯片厂采用自由电子激光极紫外光源

埃隆・马斯克旗下超级芯片工厂 Terafab 计划采用全新极紫外（EUV）光源方案。据 Bits and Chips 报道，这座晶圆厂或将改用自由电子激光（FEL），替代阿斯麦当前量产设备使用的激光等离子体（LPP）光源。特斯拉 CEO 马斯克在 X 平台一条相关帖子下回复 “FEL, FTW”（全称 Free-Electron Laser, For The Win，意为自由电子激光才是最优解），明确表达对该技术的看好与支持。

财联社介绍，当前全行业通用 LPP 光源技术：通过高功率激光轰击高速锡液滴，产生高温等离子体，释放波长 13.5 纳米的极紫外光。

但财联社指出该方案存在两大核心短板：电能转化为 EUV 有效输出光的效率仅约 0.1%；激光轰击锡滴会产生金属碎屑与污染物，大幅增加设备维护频次。报道补充，尽管存在上述缺陷，LPP 仍是唯一实现大规模量产的 EUV 光源方案，核心优势在于整套设备体积仅数立方米，可集成进光刻机机身。

自由电子激光 EUV：更低能耗、更洁净光束

与之对比，36 氪国际版文章说明：自由电子激光（FEL）不依靠等离子体发光，直接通过高能电子束生成光束。电子被加速至接近光速，穿过交替排布的磁体阵列后，产生高能量、高聚焦度光束。通过调节电子能量与磁体间距，FEL 既能产出光刻所需的 13.5 纳米波长光源，理论上还可拓展至 6.x 纳米甚至更短波段；同时全程无锡污染，减少光学镜片损耗与设备停机维护时长。

FEL 还能显著降低整机功耗。财联社测算：现有 LPP 技术产出 1 千瓦 EUV 输出光，需输入约 4.4 兆瓦电力；而 FEL 方案理论仅需 0.7 兆瓦输入功率。

不过自由电子激光的一大硬伤是设备占地面积极其庞大。财联社表示，传统标准晶圆厂空间无法容纳这套系统；但 Terafab 规划为超大型生产基地，有条件部署集中式 FEL-EUV 光源系统。

自由电子激光 EUV 商业化落地仍长路漫漫

财联社同时强调：无论 Terafab 最终选用哪一类光源，都难以摆脱对阿斯麦的依赖。一套完整光刻机除光源外，还包含光学系统、掩模、整机控制系统，这些均是阿斯麦的核心技术壁垒。因此马斯克的 FEL-EUV 构想能否落地，仍取决于阿斯麦能否推出适配该新型光源的光刻整机；当下台积电、三星也在持续扩产先进制程产能，市场供需进一步加剧相关约束。