人工智能热潮、先进封装需求驱动，英特尔拟发售 150 亿美元股票融资

英特尔公司今日公布计划，拟通过普通股增发募资 150 亿美元。

本次股票承销银行拥有 30 天超额配售权，可额外认购至多价值 225 亿美元的普通股。此番融资落地前，英特尔股价年内涨幅超两倍，反映出投资者对其数据中心与 AI 业务的乐观预期；上一季度英特尔数据中心业务营收同比大涨 59%，业绩大幅超市场预期。

英特尔并未披露募资的详细投向，仅表示募集资金用途 “包括但不限于资本开支、营运资金”。

上个月，英特尔将本年度资本开支预期从 180 亿美元上调至 200 亿美元以上。首席财务官大卫・津斯纳当时对外表示，2027 年公司资本支出规模还将进一步提升，绝大部分资金将用于采购芯片制造设备。

本次融资公告专门设立 “融资时机” 板块，文中称实体 AI、专用定制芯片、先进封装、对外晶圆代工是英特尔四大核心增长赛道，这也暗示了本次募资的主要投入方向。

先进封装是英特尔重点布局的增长技术之一，该工艺可将多颗裸片集成封装为单颗芯片，广泛应用于 AI 加速芯片等产品，能够实现显卡逻辑电路与高带宽内存堆叠互连。

津斯纳今年 3 月曾透露，英特尔即将敲定每年数十亿美元规模的先进封装长期合作订单。市场预期先进封装需求将持续暴涨，英特尔计划扩充对应产能，本次股票募资将为扩产提供资金支撑。

目前英特尔先进封装产能主要集中在新墨西哥州 9 号晶圆厂，2021 年公司曾投入 35 亿美元升级该厂产线。近期英特尔又推出三款全新先进封装技术方案。

其中 EMIB-T 技术将于今年正式投产。传统芯片厂商依靠中介衬底互联各芯片模组，而 EMIB-T 采用体积更小、成本更低的互连结构替代衬底，同时内置供电线路，缩短电流传输路径，提升芯片整体能效。

英特尔已完成 High NA EUV 设备量产验证，后续计划在更多工厂部署这套设备；单台 High NA 光刻机在 2025 年 5 月的采购成本就高达 4 亿美元，本次股票融资将助力该扩产计划落地。