SK海力士联合闪迪发布全球首个AI专用HBF存储标准

SK 海力士与闪迪（Sandisk）联合发布高带宽闪存（HBF）首套完整标准规范，将其定位为面向 AI 算力基础设施的全新存储层级。该标准于加州圣克拉拉举办的 2026 未来内存与存储峰会（FMS 2026）正式对外公布，距离 HBF 产业联盟成立刚好过去六个月。

对于欧洲电子行业从业者而言，这份标准提前揭示了半导体行业如何弥合 AI 处理器算力与内存容量之间持续拉大的性能鸿沟。这套开放、适配芯粒（Chiplet）的技术方案，也将为欧洲处理器、先进封装、数据中心全产业链带来全新发展机遇。

HBF：打通内存与传统存储的技术壁垒

HBF 高带宽闪存介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）两大产品之间。SK 海力士与闪迪的设计思路是融合 NAND 闪存大容量特性与接近 HBM 的数据传输速度，以此解决 AI 推理业务数据量暴增带来的带宽、容量双重瓶颈。

初代标准支持两种 NAND 堆叠方案：8 层裸片堆叠、16 层裸片堆叠，单颗 HBF 最大容量可达 512GB；带宽分为三档，性能区间覆盖 0.4TB/s～3.0TB/s，系统设计者可根据不同业务场景灵活选配 HBF 规格。

HBF 通过UCIe 通用芯粒高速互联标准与各类处理器相连。UCIe 作为开放通用接口，可大幅降低 HBF 与 CPU、GPU、各类 AI 加速芯片的集成难度。整套标准完整定义接口电气特性、堆叠封装规范、可靠性要求以及软件 IO 驱动指南。

该标准依托开放计算项目（OCP）对外公开，属于全行业通用开放规范，并非厂商私有技术。谷歌、AI 芯片企业 Tenstorrent 均已加入 HBF 产业联盟。

分层内存架构：适配自主智能体 AI 时代

在 FMS 峰会上，SK 海力士高管金春成、姜旭松提出分层内存（Tiered Memory）整体架构方案：在一套系统内整合、优化多种存储介质。企业认为，单一存储技术无法满足自主智能体（Agentic AI）各类业务对速度、容量、能效的综合需求。

峰会还设置专题圆桌，SK 海力士、闪迪、谷歌 DeepMind 三方代表共同探讨 HBF 重塑 AI 内存体系的行业潜力。

SK 海力士解决方案开发执行副总裁金春成表示：“AI 应用快速普及，倒逼全行业重构数据处理底层架构。依托 HBF 技术，SK 海力士将打破内存与存储的边界，助力构建整体能效大幅提升的新一代算力架构。”

375 层 4D NAND 闪存：主打算力场景高能效

本届 FMS 峰会，SK 海力士首次对外公开第十代（V10）375 层 4D NAND 闪存技术，该产品目前仍处于研发阶段。官方数据显示，其单位功耗性能是上一代产品的 2.5 倍。

企业计划明年初量产基于该工艺的高性能企业级固态硬盘，面向对功耗敏感的 AI 数据中心市场。