三星HBM4良率逼近80%

据韩媒《首尔经济》援引业界消息透露，三星电子第六代高带宽存储器（HBM4）的良品率近期已接近80%。在半导体制造领域，80%的良品率通常被视为“黄金良率”，这意味着产品不良率被控制在极低水平，企业具备了稳定交付的成熟量产能力，从而实现利润最大化。

2026年2月该产品刚开始量产出货时，其良品率尚不足60%。业界此前普遍预测，三星需等到2026年年底才能将良品率提升至80%的水平。然而，随着下半年生产规模的扩大，其工艺改进速度大幅超出市场预期，仅用约半年时间便实现了良品率的稳定。

分析人士指出，这一突破主要得益于三星采用的一站式（Turnkey）模式。通过将内部的存储器、晶圆代工以及先进封装部门整合为统一团队，三星在设计初期便能协同优化芯片的运行速度、功耗及散热问题。此外，曾被视为制约良品率提升的非导电薄膜热压键合（TC-NCF）技术难题，也在这种跨部门协作下被成功攻克。

在市场布局方面，HBM4良品率的稳步提升将有力支持英伟达（NVIDIA）下一代AI加速器Vera Rubin的量产进程。财务数据显示，三星在2026年第三季度的HBM4营业收入较第二季度增长了三倍以上，并预计下半年HBM4将贡献其HBM总营收的60%以上。据悉，三星已制定明确目标，计划在2026年年底前将其HBM产品的全球市场份额提升至约38%，与其整体DRAM市场的份额水平保持一致。