三星展示业界首款zHBM架构概念模型

三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS 2026）上，展示其面向人工智能（AI）内存和高性能计算（HPC）的最新3D存储产品组合与技术路线图。首度公开了zHBM与zNAND-O概念模型，并推出业界首款层数超过400层的V10 BV-NAND。

zHBM打破常规设计

三星专为先进AI运算设计的zHBM，打破常规，将HBM置于处理器旁的设计，改将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方，以进一步缩短数据传输距离。据介绍，该构架预估性能可达HBM5的4-8倍。

根据三星电子首席技术官宋载赫的定义，产品名中“z”的含义是Z轴，象征着将HBM或NAND沿着垂直方向堆叠。在传统设计中，HBM内存堆叠与AI芯片通过硅中介层并排集成于同一封装内，业界称之为2.5D封装。而对于zHBM来说，其能通过最大限度地缩短AI处理器和内存之间的数据传输距离，以提供更高的带宽和更高的能效，从而实现大规模AI训练和推理所需的超快速数据处理。

同时，通过下一代晶圆键合技术，zHBM能实现比HBM5高出10倍以上的内存密度，同时将能源效率提升3倍、热阻降低50%以上。zHBM还支持定制化化设计，允许客户在夹层中整合专属IP，优化加速器性能并扩充容量。该产品量产时间预期或设定在2029年前后，目前尚无明确量产时间表。

zNAND-O针对边缘AI工作负载

三星推出了基于其V-NAND技术的高性能NAND闪存概念产品zNAND-O。该架构提供4层和8层两种配置，旨在提高空间利用率、I/O性能和降低延迟。

三星将将zNAND-O定位为边缘AI系统，用于以最小延迟处理大型数据集。通过提升本地存储性能，该架构能够支持实时应用，在这些应用中，数据并非总能传输到集中式数据中心进行处理。

首发V10 BV-NAND架构

闪存方面，三星推出首款采用晶圆键合技术的V10 BV-NAND，层数高达400层以上。这一里程碑构架使存储密度较前代（V9）大幅提升约58%，并在读写、I/O性能与能源效率上皆有显著提升，能满足未来AI系统的高容量储存需求。此次发布距离三星在2013年闪存峰会上推出业界首款V-NAND技术已过去了13年。

下一代人工智能加速器路线图

三星展示了其下一代人工智能加速器路线图，其中包括HBM4E样品和HBM5型号，今年2月开始业界首个基于其1c DRAM和4纳米芯片技术的HBM4量产，并于5月成为首家向全球客户交付HBM4E样品的公司；此外，还展示了LPDDR5X-PIM，并称其为业界首款采用内存内处理技术的LPDDR内存，该设计在内存内部执行部分数据处理操作，从而减少了内存和处理器之间的数据传输。

三星的企业级存储产品演示包括7月份开始量产的PCIe Gen6 PM1763和BM1773，这两款产品旨在满足人工智能数据中心日益增长的存储需求。这些产品完善了三星的内存产品路线图，满足了人工智能训练数据、模型库和推理工作负载对高容量和高性能的需求。