苹果启动长鑫存储 DRAM 测试，意在展开议价博弈

一则重磅行业消息显示相关进程推进速度远超预期：苹果现已开始测试长鑫存储（CXMT）生产的 DRAM 内存芯片，不排除未来将其纳入全品类产品供应链。

苹果一边开展长鑫 DRAM 芯片测试，一边持续游说美国华盛顿当局，希望美方放宽针对中国产存储芯片的管控政策。

据《金融时报》报道，苹果目前正在对中国长鑫存储的 DRAM 产品进行验证测试，这一动作预示，这家国内存储龙头短期内进入苹果庞大供应链的可能性大幅提升。

此前《金融时报》已有报道，苹果一直在游说特朗普政府，希望获得采购长鑫 DRAM 芯片的许可。

随后彭博社记者马克・古尔曼跟进爆料：苹果正与特朗普政府沟通协调，尽量规避舆论与政策层面的负面冲击 —— 比如苹果最终为中国大陆销售的设备采购中国产存储芯片。

但我们此前也曾分析，单纯从经济效益来看，这一选择吸引力有限，核心原因有几点：

1. 长鑫大量产能已签订长期供货协议（LTA），对外可售余量有限；

2. 其面向 AI 场景的大容量 DDR 内存产能，并不适配苹果产品需求；

3. 可供供应移动端的 LPDDR 产能规模有限，报价与三星、SK 海力士、美光基本持平；

4. 采购的长鑫 DRAM 芯片仅能用于中国大陆地区发售的终端产品。

即便如此，长鑫存储的技术实力正快速追赶三星、SK 海力士、美光这存储 “三巨头”。举例来说，这家国内 DRAM 厂商正规划采用晶圆对晶圆混合键合（W2W Hybrid Bonding）工艺打造新一代堆叠内存：存储单元与控制逻辑电路分别制作在两片硅晶圆上，再通过先进封装工艺垂直键合在一起。该技术可大幅提升内存集成密度、降低访问延迟、优化功耗表现。据悉长鑫已在合肥试点产线开展该工艺验证，核心目标是实现高密度存储芯片量产。若苹果将长鑫纳入供应链，也就有望提前获取这一代新型存储技术。

与此同时，美国银行分析指出，苹果引入长鑫 DRAM 芯片，核心作用是提升自身与三星、SK 海力士、美光三家厂商谈判议价的筹码。