混合键合本是 HBM4 核心升级亮点，但 JEDEC 标准放宽或令三星、SK 海力士暂缓采用该技术
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混合键合一直是下一代存储芯片主流堆叠方案的热门技术，但韩国媒体报道称，联合电子设备工程委员会（JEDEC）放宽相关标准后，三星与 SK 海力士或将在 HBM4 产品中放弃搭载这项工艺。旧版规范规定下一代 HBM 存储堆叠总厚度上限为 900 微米，新标准则将厚度放宽至 1000 微米。
报道：行业标准放宽，存储厂商下一代 HBM 或跳过混合键合
传统 HBM 依靠热压键合工艺：每颗 DRAM 芯片底部填充底填胶并布设微凸点，再通过高温高压完成堆叠贴合；而混合键合是为适配多层堆叠新一代存储研发的新型工艺。
ZDNet 援引此前消息表示，两家厂商调整技术路线的核心原因是 JEDEC 拟上调 HBM 堆叠厚度标准。
该媒体 3 月曾报道，JEDEC 计划将 HBM4 堆叠厚度标准由现行 775 微米上调至 825–900 微米；本次报道补充，HBM5 的厚度上限将从原定 900 微米放宽至 1000 微米。
此外，英伟达等核心大客户暂缓高堆叠层数 HBM 的采购需求，进一步促使两家厂商推迟混合键合落地节奏。
ZDNet 援引业内消息人士称，目前 16 层 HBM 堆叠方案的相关研发洽谈已搁置，即便后续推出 HBM4E 产品，堆叠层数大概率仍维持 12 层。
现阶段两家厂商计划通过加装散热器件，间接实现混合键合同等散热效果。混合键合之所以散热更优，是因为该工艺取消了起到隔热作用的底填胶。消息同时提到，HBM5E 芯片的输入输出引脚数量会大幅增加，届时厂商将不得不采用混合键合工艺生产。
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