DRAM盈利能力反超HBM，存储市场重心将再次转移？

SK海力士今年一季度营业利润率72%，超过英伟达和台积电，是当下全球最赚钱的半导体公司。但这家公司最近在做一件出人意料的事：放缓HBM4量产扩张，把更多产能留给通用DRAM。据业内人士透露，SK海力士计划略微推迟部分原定向HBM4过渡的第五代HBM3E生产线的改造，计划通过提升目前利润率高于HBM的通用DRAM市场的响应速度来获取额外收入。截至目前SK海力士尚未正式确认相关安排。

人工智能需求正拉动全球半导体行业整体上行，存储产业步入业内普遍期待的超级景气周期。不过，本轮盈利大涨的核心驱动力并非HBM，更多源于通用DRAM价格大幅走高。

DRAM和HBM盈利能力的逆转

SK海力士正加大力度开拓通用DRAM市场，同时调整HBM4的量产步伐。SK海力士表示，由于HBM4的营收已占比超过40%，并占据绝对优势，因此正在重新分配资源，以确保从供应严重短缺的通用DRAM市场获得更多营收，而不是盲目地进行产能扩张。

作为全球三大HBM制造商之一，根据Counterpoint Research的数据，SK海力士2025年第四季度按营收计算占据全球57%的市场份额，并在第二季度一度达到64%。相比之下，其主要竞争对手三星电子同期份额为22%，美光科技份额为21%。

这一战略转型背后是普通DRAM和HBM盈利能力的逆转：制造与封装工艺成熟、产能扩张相对克制、Server DDR5、LPDDR、PC DRAM价格同步上涨四重因素叠加，使新增平均销售价格（ASP）可以更顺畅地传导到利润端。韩国《朝鲜商报》（Chosun Biz）援引行业数据称，一季度通用DRAM的每千兆（Gb）价格仍低于HBM，但其营业利润率营业利润率已经比HBM高出至少15个百分点；韩国大信证券甚至预测，通用DRAM利润率年内可能触及90%。

三巨头（三星、SK海力士、美光）把大约70%的新增产能分配给了HBM，通用DRAM的供给被严重挤压。TrendForce在6月更新的数据显示，一季度通用DRAM合约价环比上涨约93-98%。

从产能调配维度来看，HBM本质上是3D堆叠DRAM，相较传统DRAM消耗海量晶圆、后端封测资源，每一代新品都会在测试、散热管控、信号完整性、封装精度上提出更高标准 —— 每一步都拉高良率和成本压力，进入HBM4后，2048位接口、定制基础芯片和更严格的客户认证进一步提高制造成本。相比之下，DDR5等通用DRAM虽然也需要先进制程，但不承担这一整套堆叠和系统级集成成本。

HBM的单位容量售价明显高于普通DRAM，但高售价并不自动等于更高营业利润率。这也解释了为何在HBM领域长期领先的SK海力士面前，三星仍能在涨价周期中保持强劲盈利韧性。依托庞大的DRAM产能与丰富的产品矩阵，三星可以更快享受涨价红利。

另外值得注意的是，SK海力士的HBM4仍在接受英伟达的质量认证，而英伟达下一代芯片「Rubin」（将采用HBM4）的产量预测呈下降趋势。美国投行KeyBanc在4月对亚洲供应链的调研也显示，Rubin GPU的生产目标从200万颗下调至150万颗。

虽然英伟达已经多次强调Vera Rubin平台按计划推进，但这不等于HBM4在所有客户、所有配置上同步放量：TrendForce此前报道，英伟达2025年三季度上调了Rubin平台HBM4的规格要求，将单针速率（Speed per Pin）提高到11Gbps以上，三大供应商需要重新修正设计和送样，量产节奏因此被拉长。

因此没有理由加快HBM的过渡。从SK海力士管理层的角度来看，AI服务器持续消耗存量产能带动通用DRAM估值快速抬升，不可能忽视竞争对手三星电子已经凭借普通DRAM而非HBM获得了巨额利润。SK海力士正在做的并非放弃技术领先，而是在建立HBM优势后，将经营目标从“最大化HBM份额”转向“最大化每片晶圆利润”。

通用DRAM周期性波动特征显著，供需格局反转后，价格下行速度往往快于产能调整速度：倘若厂商过度依赖产品涨价获利，当前的高利润或将催生新一轮库存去化周期。但HBM不单是高附加值产品，更是AI供应链的战略要塞，代表下一代技术制高点，而通用DRAM是企业短期现金流的核心来源。行业竞争早已跳出短期DRAM出货比拼，转向在HBM4E及后续产品的量产、良率、客户认证层面构筑技术壁垒。

海外投资银行也支持这一趋势。高盛评估认为，SK海力士至少在2026年之前，只要维持HBM3及HBM3E合计逾50%以上的市场份额，就足以支撑其价值增长；摩根士丹利的判断也在转向，认为SK海力士价值的关键驱动因素是整体内存价格周期，而非捍卫HBM市场份额，并基于DRAM平均售价将在2026年上涨62%的预期，将其盈利预期上调了56%至63%。若SK海力士在HBM份额略有下降的同时维持更高整体营业利润，这次调整将证明存储竞争已经从单一产品竞赛，转向全产品组合和晶圆回报率管理。

HBM价格机制滞后

随着DRAM市场供不应求形势加剧，TrendForce最新研究指出，由于HBM采用年度议价机制，其合约价格无法及时反映市场季度涨价趋势，而传统DRAM则按季度谈判定价。TrendForce追踪数据显示，HBM单片晶圆产值在2026年第一季度已低于DDR5 64GB RDIMM，其利润率也在同期丧失领先地位。

这意味着，当前HBM对于原厂而言，盈利能力已不及部分高端服务器内存。为扭转这一局面，三大存储原厂正在进行的2027年HBM供应谈判中，计划大幅上调报价：将视HBM的谈判价格水平，灵活调节HBM与一般型DRAM之间的产能配置。伯恩斯坦估算，同样一片晶圆，生产通用DRAM的营收是HBM的2倍，毛利接近3倍；也就是说，HBM价格需再涨3倍，单位晶圆收入才能追平通用DRAM。

本轮周期的不同之处，是云服务商开始通过多年长期供应协议锁定DDR5和其他服务器内存，部分合同可能包含预付款、最低价格和年度采购量条款。对云厂商而言，这是为了确保AI服务器不会因系统内存短缺而延迟；对存储厂商而言，则把部分标准DRAM收入从季度现货交易转变为具有价格保护的长期订单。

事实上，SK海力士在今年第一季度财报中披露，DRAM的平均售价上涨了60%左右，并提出了专注于满足高密度服务器模块和移动产品需求的计划，与微软签署的三年期DDR5供应合同也被视为确保DRAM长期盈利能力的举措，与谷歌也在洽谈类似通用DRAM长期供应安排。杰富瑞（Jefferies）援引专家的话称第四季度内存价格可能再上涨30%至40%，该专家还指出到2027年，内存价格年均涨幅可能达到40%至45%。

不过，随着SK海力士HBM4扩产放缓也为竞争对手三星打开了窗口。三星近期向全球客户送样12层HBM4E产品，芯片底层采用自家第六代10nm级（1c）DRAM工艺，搭配4nm制程代工逻辑基片。据Counterpoint Research的数据显示，SK海力士去年第四季度的HBM市场份额为57%，但若三星电子在今年下半年成功实现HBM4量产，SK海力士的份额或逐步收窄至50%至60%区间。

三星管理层明确表示不会为短期利润大幅转向传统DRAM，以免制约AI基础设施建设，并预计到2027年两类产品利润率差距将显著收窄。从长期看，三星对存储市场前景乐观；仅从当前预订需求判断，2027年的供需缺口将比今年进一步扩大。

2028年可能是内存价格首次出现回落的一年：来自中国的存储器供应增长也可能会影响存储器价格趋势，一位三星前存储器高管指出，由于中国企业正在大力投资生产，到2027年下半年，存储器产能每月可能增长多达600万片晶圆。随着产能提升、供应增加，2028年内存平均售价可能会下降15%至20%，需求放缓也可能对价格下降起到一定作用。