罗姆推出碳化硅 MOSFET 顶部散热封装新品

罗姆半导体（ROHM）全新研发 TSC3PAK 封装，这是一款适配碳化硅（SiC）MOSFET 的顶部散热封装，面向新能源车、工业设备高压电能变换场景。该表面贴装封装尺寸为 14.00×18.58×3.50 mm，既支持自动化贴装工艺，散热能力又可媲美 TO-247-4L 等传统插针式封装。

随着碳化硅器件的应用场景从牵引逆变器拓展至车载充电机、电动压缩机、服务器电源、光伏逆变器等设备，封装方案已然成为核心设计考量点。

支持自动化组装的顶部散热架构

大功率场景传统碳化硅 MOSFET 普遍采用插针式封装，虽然散热性能优异，但只能人工装配，同时不利于整机高度小型化。罗姆 TSC3PAK 封装创新将散热面布置在封装顶面，同时完整保留表面贴装（SMT）工艺兼容性。

该封装可简化新能源车车载充电机、电动压缩机等设备的装配难度，这类应用对热管理、运行可靠性、量产效率要求高度耦合。罗姆表示，这款封装在实现自动化贴装的同时，散热性能可对标插针封装器件。

爬电距离满足 1200V 电压等级设计要求

TSC3PAK 搭载罗姆自研沟槽结构，实现 6.66 mm 爬电距离。厂商实测数据显示，该封装可在 2 级污染环境下耐受 1200 V 交流峰值电压。

高压绝缘设计工程师对此参数高度关注：封装外形结构会直接影响安全裕量、PCB 布局布线以及整机制造成本。该封装可兼容市面主流成熟器件，便于客户无缝嵌入现有设计流程，快速导入量产。

配套第四代碳化硅 MOSFET 芯片

采用该封装的器件内置罗姆第四代 SiC MOSFET 芯片，具备极低导通电阻、高速开关特性。在电能变换电路中，上述优势能够降低开关损耗、提升整机能效，实际增效幅度取决于电路拓扑、热设计方案与实际工况。

搭载 TSC3PAK 封装的器件已于 2026 年 6 月正式进入量产；罗姆官网同步开放仿真模型下载，可供工程师开展电路设计仿真评估。