太阳诱电两款无源器件，优化高端芯片供电设计

随着人工智能与图形处理器功耗持续攀升，传统供电架构难以满足高功率密度的设计要求。目前行业普遍采用集成稳压器（IVR），将末级直流转换电路贴近处理器布设，以此降低电阻损耗，同时适配芯片封装不断压缩的堆叠高度。针对行业供电难题，太阳诱电（TAIYO YUDEN）推出多层金属功率电感与多层陶瓷电容（MLCCs），大幅提升电流密度与供电效率。

芯片供电现存难点

为满足新一代片上系统（SoC）的大电流供电需求，硬件设计人员开始采用垂直供电架构。该架构缩短稳压器与负载之间的供电距离，减少寄生阻抗，降低电压损耗。但功耗提升导致元器件布设空间受限，行业需要嵌入式集成解决方案。太阳诱电多层金属电感可适配嵌入式基板狭小空间，突破传统电感的结构局限。

现代 AI 加速器需低压稳定供电，常在 1V 以下电压下输出数百安培电流。传统供电模块体积甚至大于处理器本体，严苛的物理空间与散热条件倒逼行业采用集成式供电方案。传统供电设计难以兼顾薄型化与高电流密度，元器件体积偏大，无法满足先进封装要求。太阳诱电金属电感可改善这一问题，在超薄体积下保持电气性能稳定。

传统电感性能短板分析

早期集成稳压方案难以达标电流密度与电阻参数要求。传统空心电感（ACI）电流密度仅为4 A/mm²，无法适配高性能芯片。行业已达成共识，无磁性结构元器件不能满足高端图形处理器与AI处理器需求，必须采用高密度、薄型化新型材料。技术对比数据显示，传统器件与太阳诱电产品存在明显性能差距。

常规空心电感直流电阻为7 mΩ，电感量1.2 nH；复合磁芯电感普遍电阻偏高、封装密度偏低。这类缺陷导致传统元器件无法适配现代芯片散热与能效标准，凸显了太阳诱电新材料技术的应用价值。

LSCN系列电感性能与技术亮点

太阳诱电LSCN系列电感性能优势突出，电流密度最高可达25 A/mm²，直流电阻低至0.8 mΩ。电流密度为传统空心电感的六倍，有效缩小供电模块占用面积。其中单线圈版本电感量可达38 nH，适配电路瞬态响应设计需求。

该系列电感采用专利金属材质，通过热处理去除树脂粘结剂，优化热稳定性与导电能力。材质升级提升封装密度与耐热性能，工作温度最高可达165℃。同时无树脂结构可避免气体析出、材料老化损坏，长期使用可靠性更高。

LSCN系列材质结构分析图

依托多层堆叠工艺，该电感可定制尺寸，最小厚度仅0.33mm。目前研发中的上下贯通结构（Top-to-Bottom），有望进一步降低直流电阻，优化阻感比值。此外多引脚设计可独立调节单端电感量，精准管控片上系统内部元器件供电，在不增加封装体积的前提下适配不同供电线路，满足新一代芯片的多元化供电需求。

嵌入式陶瓷电容设计优势

MLCC工作流程展示图

太阳诱电多层陶瓷电容可作为供电网络的储能与滤波元件，适配多规格电压工况。产品采用专属烧结工艺，打造一体化单体结构，适配嵌入式安装场景，提升设备稳定性。电容搭载扁平化铜电极，优化生产工艺、降低缺陷率，提升基板生产良率。特殊结构设计可强化电路连通性、减少寄生电阻，保障超薄封装设备稳定运行。

方案总结

太阳诱电整合多层结构工艺与先进材料技术，推出高性能功率电感与多层陶瓷电容。全套无源器件解决方案，可满足高端芯片对电流密度、厚度、电阻的严苛要求，为集成稳压器技术迭代提供支撑。该方案有效解决传统供电架构缺陷，适配新一代AI芯片、高端处理器的应用场景。