JEDEC公布LPDDR6升级方向，推进AI内存SOCAMM2标准制定
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收藏在 AI 与边缘计算需求激增的背景下，内存标准正快速演进。JEDEC 固态技术协会近期公布，正为JESD209‑6 LPDDR6标准下一版规划新增特性，并确认基于 LPDDR6 的SOCAMM2（片上系统先进内存模块）规范正在开发中。
一、LPDDR6 标准重点升级
JEDEC 表示，新版 LPDDR6 将引入更窄的单裸片接口，在非二进制架构下新增x12、x6 子通道模式（位宽从 x16 扩展至 x24），可提升单封装裸片数量、显著增加单通道容量，以满足 AI 级内存需求。
标准还将加入灵活元数据划分机制，在保持峰值带宽的同时，让数据中心运营商在可用容量与可靠性之间取得平衡。
同时，LPDDR6 有望将内存密度提升至512GB，超越现有 LPDDR5/5X 上限，更好匹配 AI 训练与推理负载的增长需求。
二、面向 AI 的 SOCAMM2 标准同步推进
随着英伟达在 Vera Rubin 平台加快采用 SOCAMM2，JEDEC 正开发基于 LPDDR6 的 SOCAMM2 模块标准，延续紧凑、易维护的形态，并为现有 LPDDR5X SOCAMM2 模块提供清晰升级路径。
此外，JEDEC 即将完成 LPDDR6 内存内计算（PIM） 标准制定，将计算功能直接集成到内存中，减少内存与处理器间的数据搬运，提升边缘与数据中心推理性能及能效。
三、三星、SK 海力士 LPDDR6 进展
三星
已完成 LPDDR6 开发，计划2026 年下半年量产上市
采用 12nm 工艺，初始速率最高10.7Gbps，能效较 LPDDR5 提升 21%
后续版本速率有望突破14.4Gbps
已向高通送样 LPDDR6X，用于下一代 “AI250” AI 加速器
SK 海力士
2026 年 3 月宣布采用1c 工艺成功开发 LPDDR6，速率达10.7Gbps
目标2026 年上半年具备量产条件，下半年出货
较 LPDDR5X 数据处理性能提升约33%，功耗降低20% 以上，得益于子通道架构与 DVFS 技术
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