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Applied Materials公司近日宣布开发出了一种新的化学气相淀积(CVD)技术，这种技术能为20nm及更高等级制程的存储/逻辑电路用晶体管淀积高质量的 隔离层结构。据Applied Materials公司宣称，这些隔离结构的深宽比可超过30：1，比目前工艺对隔离结构的要求高出5倍左右。 这项技术使用了Applied Materials公司名为Eterna流动式化学气相沉积系统(Flowable CVD:FCVD)的技术专利，淀积层材料可以在液体形态下自由流动到需要填充的各种形状的结构中
