作为一个电路设计师，我整个职业生涯都花在接口电路上，串行并行都做过，且速度不慢(DDR3-1600Mbps, SerDes 30Gbps)，这个问题不答实在技痒难耐。已经看到的答案中，大家基本上都命中了关键的知识点，但是没有把背后的逻辑说清楚，也没有人从电学特性和经济 的角度分析这个问题。大言不惭，欢迎大家拍砖。 ----------补充-------- 名词解释: Mbps, Gbps: 一百万比特每秒，十亿比特每秒 skew：时间偏差，A比B快/慢一秒，就叫skew一秒
双端口RAM的并口设计应用,摘要：IDT7132/IDT7142是一种高速2k×8双端口静态RAM,它拥有两套完全独立的数据、地址和读写控制线。文中分析了双端口RAM（DPRAM）的设计方案。并以IDT7132/7142为例介绍了双端口RAM的时序、竞争和并行通讯接口设计以
图中通过74LS373 进行地址锁存，比MEM并口方式能够提供更多的地址线，如果外加地址译码及
片选电路，那么就能够控制更多的A/D、D/A、I/O 扩展等并口电路。BUS 扩展方式的应用电路与MEM
方式类似，硬件方面的区别
图中通过74LS373 进行地址锁存，比MEM并口方式能够提供更多的地址线，如果外加地址译码及
片选电路，那么就能够控制更多的A/D、D/A、I/O 扩展等并口电路。BUS 扩展方式的应用电路与MEM
方式类似，硬件方面的区别在
图中尚未用到A0 引脚（AS#引脚），可以实现8 位数字信号输入和8 位数字信号输出。如果使用
A0 控制74LS139 分别对-READ 和-WRITE 进行地址片选，那么CH341可以连接两组74LS244+74LS273，
从而实现16 位数字信号输入
