IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已经完成了 1bnm 的开发，这是 10 纳米工艺技术的第五代，并对针对英特尔至强处理器的 DDR5 产品的内存程序进行验证。海力士的 DRAM 开发主管 Jonghwan Kim 说，1bnm 将在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等产品所采用。英特尔内存和 IO 技术副总裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特尔一直在与内存行业合作，以确保 DDR5 内存在英特尔至强可扩展平台上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一个针对
随着高性能半导体需求的不断增加，半导体市场越来越意识到“封装工艺”的重要性。 顺应发展潮流，SK海力士为了量产基于HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）的先进封装产品和开发下一代封装技术，尽力确保生产线投资与资源。一些曾经专注于半导体存储器制造技术的企业也纷纷布局封装技术领域，其投资力度甚至超过专攻此类技术的OSAT1（外包半导体组装和测试）公司。这是因为，越来越多的企业深信封装技术将会成为半导体行业及企业未来的核心竞争力。随着高性能半导体需求的不断增加，半导体市场越来越意识到