- 本文的关键要点・各种项目的绝对最大额定值都是绝对不能超过的值。・IGBT IPM绝对最大额定值的解释基本上与半导体器件相同。・由于绝对最大额定值不是保证产品工作和特性的值，因此设计通常基于推荐工作条件和电气特性项目中的规格值进行。在本文中，将介绍IGBT IPM的绝对最大额定值。与上一篇一样，我们将使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作为IGBT IPM的示例。 IGBT IPM实例：绝对最大额定值 首先，为了便于理解后续内容，我们先
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IGBT IPM ROHM
- 功耗密集型应用的设计人员需要更小、更轻、更节能的电源转换器，能够在更高电压和温度下工作。在电动汽车 (EV) 等应用中尤其如此，若能实现这些改进，可加快充电速度、延长续航里程。为了实现这些改进，设计人员目前使用基于宽带隙 (WBG) 技术的电源转换器，例如碳化硅 (SiC) 电源转换器。功耗密集型应用的设计人员需要更小、更轻、更节能的电源转换器，能够在更高电压和温度下工作。在电动汽车 (EV) 等应用中尤其如此，若能实现这些改进，可加快充电速度、延长续航里程。为了实现这些改进，设计人员目前使用基
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ROHM 大功率应用 温度范围
- 缓冲电路包括由电阻器、线圈、电容器等无源元件组成的电路，以及由半导体元器件组成的有源电路(*1)。在这里将为您介绍无需控制且具有成本优势的电路方式。关键要点※ 要想使缓冲电路充分发挥出其效果，需要尽可能靠近开关器件进行安装。缓冲电路包括由R、L、C等无源元件组成的电路和由半导体元器件组成的有源电路。※ 本文介绍了无需控制而且具有成本优势的电路方式——C缓冲电路、RC缓冲电路、放电型RCD缓冲电路和非放电型RCD缓冲电路。本文进入本系列文章的第二个主题：“缓冲电路的种类和选择”。●
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ROHM 缓冲电路
- 逆变电路主要分为单相逆变电路和三相逆变电路两类。单相逆变电路的电路图和输出电流的示意波形分别如图1和图2所示。单相逆变电路可将直流电转换为单相交流电，因此通常被用于功率调节器和不间断电源（UPS）等普通家庭的商用电源应用。关键要点・逆变电路主要分为单相逆变电路和三相逆变电路两类。・电机驱动采用可使转矩稳定、且可抑制振动和噪声的三相逆变器。・用三相逆变器驱动电机时的激励（通电）方式有方波驱动（120°激励）和正弦波驱动（三相调制、两相调制），不同的方式各有优缺点。・在本系列文章中，将以电机驱动中常用的正弦波
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ROHM 逆变电路
- 开关导通时，线路和电路板版图的电感之中会直接积蓄电能（电流能量）。当该能量与开关器件的寄生电容发生谐振时，就会在漏极和源极之间产生浪涌。下面将利用图1来说明发生浪涌时的振铃电流的路径。这是一个桥式结构，在High Side（以下简称HS）和Low Side（以下简称LS）之间连接了一个开关器件，该图是LS导通，电路中存在开关电流IMAIN的情形。通常，该IMAIN从VSW流入，通过线路电感LMAIN流动。本文的关键要点・漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的。・在实际的版图设
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ROHM 漏极 源极
- 三端稳压器是一种可以用来对电源进行降压的简单电子器件。由于降压部分直接因发热而成为热损耗，因此在从很高的电压降压时或在大电流条件下使用时，需要安装合适的散热器。研究发现，温度每升高2℃，电子元器件的不良率就会增加10%，因此，适当的散热设计对于提高电子元器件的可靠性和延长使用寿命而言至关重要。1 三端稳压器的最大电流取决于温度三端稳压器有多种类型，其最大输出电流涵盖0.5A到2A的范围。但是，在最大电流条件下使用时，需要配备合适的散热器。在三端稳压器的技术规格书中，列出了单独使用IC时和带散热器使用IC时
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ROHM 稳压器 散热
- 在实际的电路设计工作中，降噪是的一项重大课题，通常，可以通过提高开关器件的栅极电阻来抑制噪声，但其代价是效率降低（损耗增加），因此很好地权衡栅极电阻值的设置是非常重要的。在本文中，我们来探讨当将开关器件的损耗抑制在规定值以下时，最大栅极电阻RG的情况。另外，由于噪声需要实际装机评估，所以在这里省略噪声相关的探讨。关键要点・增加开关元件的栅极电阻会抑制噪声，但与之存在权衡关系的效率会降低，因此很好地权衡栅极电阻值的设置是非常重要的。・将开关器件的损耗抑制在规定值以下时，其最大栅极电阻RG可以通过仿真来确认。
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ROHM PFC
- 本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又拿不准自己是否已经理解了”的人。第一个应该了解的要数“晶体管”了。“晶体管”在电子制作领域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和电机时，晶体管是不可或缺的重要器件。但是，对于电子制作初学者来说，掌握晶体管的使用方法有点难。刚开始电子制作时使用的元器件，比如电池、LED、电阻器和开关等，几乎都是两个引脚，而晶体管却有三个引
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ROHM 电源设计 ZVS
- 本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又拿不准自己是否已经理解了”的人。第一个应该了解的要数“晶体管”了。“晶体管”在电子制作领域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和电机时，晶体管是不可或缺的重要器件。但是，对于电子制作初学者来说，掌握晶体管的使用方法有点难。刚开始电子制作时使用的元器件，比如电池、LED、电阻器和开关等，几乎都是两个引脚，而晶体管却有三个引
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ROHM 晶体管
- 罗姆今年发布了他们的第4代（Gen4）金氧半场效晶体管（MOSFET）产品。新系列包括额定电压为750 V（从650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半场效晶体管，以及多个可用的TO247封装元件，其汽车级合格认证达56A/24mΩ。这一阵容表明罗姆将继续瞄准他们之前取得成功的车载充电器市场。在产品发布声明中，罗姆声称其第4代产品“通过进一步改进原有的双沟槽结构，在不影响短路耐受时间的情况下，使单位面积导通电阻比传统产品降低40%。”他们还表示，“此外，显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳
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罗姆 ROHM MOSFET
- 在“DC-DC转换器的热仿真”系列中，将介绍使用ROHM Solution Simulator对耐压80V、输出5A的DC-DC转换器IC“BD9G500EFJ-LA”组成的电源电路进行电路工作仿真，还会介绍可以同时执行该IC和外置器件肖特基势垒二极管“RB088BM100TL”温度仿真的仿真环境及其使用方法。本文的关键要点・ROHM Solution Simulator的热分析功能具有以下特点：– 可对含有功率半导体、IC和无源器件的电路进行热-电耦合分析。– 除了电路工作期间的半导体芯片温度（结温）分
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ROHM 转换器 热仿真
- 具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET产品相比，在桥式结构情况下的栅-源电压的行为不同。在上一篇文章中，我们介绍了LS（低边）SiC MOSFET导通时的行为。本文将介绍低边SiC MOSFET关断时的行为。本文的关键要点1 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。2 要想正确实施SiC MOSFET的栅-源电压的浪涌对
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ROHM 桥式结构 栅极
- 测量表面温度时，热电偶的固定方法和导线的处理会影响测量结果。尽量减少热电偶固定方法带来的影响是非常重要的。本文的关键要点・ 将热电偶的测量端（连接端）固定到IC等封装上的方法有两种：①使用聚酰亚胺（PI）胶带等；②使用环氧树脂粘结剂。・ JEDEC推荐使用环氧树脂粘结剂的方法。・ 除了热电偶测量端的固定方法外，导线的处理也会影响到测量结果，因此应沿着发热源敷设导线。测量表面温度时，热电偶的固定方法和导线的处理会影响测量结果。尽量减少热电偶固定方法带来的影响是非常重要的。热电偶的固定方法：粘贴方法将热电偶的
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ROHM 热电偶
- 内置折返式限流电路的线性稳压器IC，在IC启动前输出端被施加恒流负载时，可能会出现无法启动的问题。本文的关键要点・内置折返式限流电路的线性稳压器在启动前被施加恒流负载时，可能会出现无法启动的故障。・内置折返式限流电路的线性稳压器的这种故障可以通过使用具有电流下垂特性的过电流保护电路的线性稳压器来解决。・如果因恒流负载而使电流流过在IC的输出引脚和接地之间的ESD保护二极管或寄生二极管，则IC可能会劣化甚至损坏，因此需要在IC的输出引脚和接地之间连接肖特基势垒二极管来进行保护。内置折返式限流电路的线性稳压器
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ROHM 恒流负载
- 在下面的表格中，汇总了当着眼于上一篇文章中给出的基本电路的一次侧MOSFET时，LLC转换器的优缺点。LLC转换器通过部分谐振方式实现ZVS工作，部分谐振方式是使用激励电流对MOSFET的输出电容Coss进行充电和放电。这样可以减少开关损耗，从而可以减小MOSFET封装和散热器的尺寸。本文的关键要点・虽然LLC转换器的优点是开关损耗低，但受失谐的影响，开关损耗可能会增加，并且可能会导致MOSFET损坏。・LLC转换器使用PFM方式来控制输出电压。由于LLC的增益频率特性具有两个谐振频率，因此根据fsw被分
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ROHM LLC
rohm介绍
Rohm株式会社为全球知名的半导体生产企业，ROHM公司总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步进入了 晶体管、二极管领域和IC等半导体领域.2年后的1971年ROHM作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心.以当时的企业规模，凭借被称为"超常思维"的创新理念，加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，ROHM [
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