摘要:数字集成电路的不断发展和制造工艺的不断进步,使得物理设计面临着越来越多的挑战。特征尺寸的减小,使得后端设计过程中解决信号完整性问题是越来越重要。互连线间的串扰就是其中的一个,所以在后端设计的流程
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设计 信号 预防 物理 IC 65nm 工艺 数字 基于
半导体工业目前已经进入65纳米及以下技术时代,关键特征通常为纳米级,如此小特征的制造工艺要求特殊的测量仪器...
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65nm
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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65nm TD-SCDMA FPGA 多模无线基站
基于FPGA的65nm芯片的设计方案, 随着工艺技术向65nm以及更小尺寸的迈进,出现了两类关键的开发问题:待机功耗和开发成本。这两个问题在每一新的工艺节点上都非常突出,现在已经成为设计团队面临的主要问题。在设计方法上从专用集成电路(ASIC)和
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设计 方案 芯片 65nm FPGA 基于
SiN广泛地用于半导体技术中,使SiN成为重要电介质的主要特性是其漏电流低且击穿电压高。超大规模集成(ULSI)技术...
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SiN 65nm
半导体业最主要的特征是工艺尺寸不断进步,平均每2~3年就要升级一次,带动功耗和成本不断下降、性能提升。从180nm到130nm,再到90nm、65nm和45nm…,这些略显枯燥的数字使我们的生活正在加速进入数字时代。当工艺进入65nm时代,FPGA厂商收获的不仅仅是关注的目光,更是新的机遇。
众所周知,通信、仪器、工业、军工、航天等市场具有小批量、多品种的特点,如果投入大量资源开发一种专用的芯片,经济上不划算。另外,越来越多的企业意识到差异化的快速灵活生产才是发展之道,但ASIC高昂的芯片设计和
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0712_A 杂志_技术长廊 FPGA 65nm MCU和嵌入式微处理器
摘要: 本文研究Altera在65nm工艺上的工程策略,介绍公司如何为客户降低生产和计划风险,并同时从根本上提高密度、性能,及降低成本和功耗。关键词: 65nm;FPGA;功耗
引言Altera在65nm半导体制造工艺上的发展策略是充分利用先进的技术和方法,以最低的成本为客户提供性能最好的器件,同时降低客户风险,保证产品尽快面市。Altera在130nm和90nm器件上的市场份额表明,有效控制高端半导体技术中存在的风险,能够提高FPGA体系结构在市场上的受欢迎程度。因此,早自2003
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0610_A 65nm FPGA 单片机 功耗 嵌入式系统 杂志_技术长廊
65nm和超越65nm的IC制造挑战Manufacturing Challenges:65nm And Beyond全球IC制造业在2004年取得辉煌业绩,销售总额达到2180亿美元,提前完成了国际半导体技术发展路线图(ITRS)的90nm节点进程,十多座300mm晶圆厂正在投产或共建,全球以Intel为首的十大IC供应商都在加紧研发65nm工艺,Intel、TI、三星、东芝、台积电开始小批量生产65nm工艺的IC,谋求技术领先,抢占市场。根据2004的修正的ITRS最新技术进程可知,90nm节点正好在2
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65nm
65nm介绍
半导体制造工艺,指集成电路内电路与电路间的距离。在处理器领域,制造工艺可以看作是处理器核心中每一个晶体管的大小。早期制作工艺采用微米作为单位,随着近两年工艺技术的进步,包括处理器、内存、显卡等芯片的制作工艺已经全面采用更小的纳米单位,而65nm工艺是处理器领域中先进的制造工艺。
在生产中一般采用的生产方式是光刻,光刻是在掩模板上进行的,宏观上讲,只要提高掩模板的分辨律就能刻出更多MOS管了, [
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