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相变化记忆体介绍

　　相变化记忆体名称有很多种，包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)等，英特尔、IBM 、意法和三星最先开发PCM，而三星宣布已开始量产512MbPRAM。PRAM是一种非易失性存储技术,用的材料为硫系玻璃，基于硫族材料的电致相变。　　全球的相变化记忆体分为3大阵营，包括恒忆(NumONyx)／英特尔(Intel)、三星电子(Samsun [ 查看详细 ]

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